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盡管 3nm 方興未艾，但圍繞著它 2nm 技術(shù)爭奪戰(zhàn)已正式開始。

在今年 2 據(jù)韓媒報道，月份 Sedaily 報道，稱 Samsung 正在積極推進(jìn) 2nm 技術(shù)，并且已經(jīng)討論過高通和 Samsung 的 LSI 部門生產(chǎn)原型商品，目前有一款未命名的商品。 Exynos 也許正處于初期測試階段；三月份，Marvell 宣布擴(kuò)大與臺積電的合作，為加快基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化，開發(fā)行業(yè)首次生產(chǎn)。 2nm 技術(shù)平臺半導(dǎo)體。

這個月，蘋果首席運(yùn)營官杰夫 · 威廉姆斯 ( Jeff Williams ) 被曝光低調(diào)訪問臺積電，此行的主要目的是確保公司 2nm 產(chǎn)能供應(yīng)。

看到這一點(diǎn)，三大晶圓代工廠臺積電，三星和 Intel 正在圍繞 2nm 明爭暗斗，日本新興晶圓廠 Rapidus 又躍躍欲試，躍躍欲試。

臺積電，如期量產(chǎn)

以臺積電為中心 最近有很多關(guān)于2nm的傳聞。

但是，據(jù)臺灣媒體工商時報報道，臺積電工藝開發(fā)副總經(jīng)理張曉剛正在 5 月 23 “日本論壇上說，” 2 納米技術(shù)開發(fā)進(jìn)展順利”，“按計劃” 2025 大約一年就可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)”，從而反駁說“臺積電會因?yàn)榧夹g(shù)問題。 2 納米工藝全面量產(chǎn)推遲 2026 “年”的猜測。

官方網(wǎng)站介紹了臺積電 2nm 隨著先進(jìn)邏輯技術(shù)的不斷突破，臺積電已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了先進(jìn)邏輯技術(shù)的拓展邊界。 FinFET，完成了 2 以納米片晶體管為特色的一流邏輯技術(shù)，納米節(jié)點(diǎn)的商業(yè)化。臺積電行業(yè)處于領(lǐng)先地位 N2 技術(shù)水平極低 Vdd 特別適合移動和可穿戴的性能。此外，N2 超薄堆疊納米片為 HPC 帶來了全新的節(jié)能計算水平。為了進(jìn)一步提高性能，還會增加背面電源軌。

臺積電認(rèn)為，對于想利用納米片技術(shù)前所未有的優(yōu)勢來釋放前所未有的創(chuàng)新能力的客戶來說，臺積電 N2 技術(shù)是一種戰(zhàn)略選擇。

臺積電還在4月份的北美峰會上披露了 2nm 更詳細(xì)的計劃。

根據(jù)當(dāng)時臺積電所說，公司有望 2025 下半年開始在第一代下半年開始。 GAAFET N2 在節(jié)點(diǎn)上批量生產(chǎn)芯片， N2P 將在 2026 年末接任 N2 ——雖然沒有以前公布的背面供電功能。同時，整個 N2 全新的臺積電系列將增加。 NanoFlex 該功能允許ic設(shè)計者從不同的庫中混合和匹配模塊，以優(yōu)化性能、功率和面積 ( PPA ) 。

有關(guān)報道稱，在這次峰會上，臺積電的一個重要公告就是臺積電。 NanoFlex 技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)將成為公司的完整。 N2 系列生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)(2 納米、N2、N2P、N2X）的一部分。NanoFlex 它將使ic設(shè)計師能夠從不同的庫(高性能、低功耗、高面積、高效率)混合和匹配同一個設(shè)計中的模塊，從而使設(shè)計師能夠微調(diào)ic設(shè)計來提高性能或降低功耗。

現(xiàn)代臺積電 N3 制造技術(shù)已支持類似的功能。 FinFlex，這個功能也允許設(shè)計者從不同的庫中使用模塊。但由于 N2 依賴于全柵 ( GAAFET ) 納米晶體管，所以 NanoFlex 為臺積電提供了一些額外的控制:首先，臺積電可以優(yōu)化通道總寬度，提高性能和功率，然后構(gòu)建短模塊(提高面積和功率效率)或高模塊( 15% 的性能）。

臺積電強(qiáng)調(diào)，公司的 N2 將在 2025 每年進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)，并于 2025 每年年底進(jìn)入批量生產(chǎn) ( HVM ) ，所以看起來我們會在那里 2026 年看到 N2 零售設(shè)備上出現(xiàn)了芯片。與 N3E 臺積電的估計與之相比 N2 將在相同的功率下提高性能。 10% 至 15%，或者在相同的次數(shù)和復(fù)雜性下降低功耗。 25% 至 30%。對芯片密度而言，代工廠正在考慮提高密度 從當(dāng)代標(biāo)準(zhǔn)來看，15%是一個很好的拓展水平。

繼 2nm 之后，性能強(qiáng)化型 N2P 以及電壓加強(qiáng)型 N2X 將在 2026 年問世。盡管臺積電曾經(jīng)說過 N2P 將在 2026 每年增加背面供電網(wǎng)絡(luò) ( BSPDN ) ，但是看上去情況并非如此，N2P 常規(guī)供電電路將被使用。理由尚不清楚，但是看起來公司決定不做。 N2P 添加昂貴的功能，而是將其保留到下一代節(jié)點(diǎn)，這個節(jié)點(diǎn)也將是 2026 在年底向客戶提供。

不過，2nm 仍然有望在電源方面實(shí)現(xiàn)一項(xiàng)重大創(chuàng)新：超高性能金屬 - 絕緣物 - 金屬 ( SHPMIM ) 電容器，這些電容器的加入是為了提高電源的穩(wěn)定性。SHPMIM 電容器的容量密度是目前臺積電極高密度金屬 - 絕緣物 - 金屬 ( SHDMIM ) 電容的兩倍多。另外，與上一代產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品 SHPMIM 電容層析電阻 ( Rs，單位是歐姆 / 平方 ) 和埋孔電阻 ( Rc ) 減少了 50%。

為了生產(chǎn) 臺積電在2nm上規(guī)劃了幾家工廠。

據(jù)今年年初的報道，臺積電正計劃在臺灣省建設(shè)兩座能夠生產(chǎn)的城市。 N2 芯片制造商。第一個工廠計劃位于新竹縣寶山周邊，緊鄰開發(fā)。 N2 技術(shù)和后續(xù)技術(shù)建立起來的 R1 研發(fā)中心。這家工廠預(yù)計將在這里 2025 下半年開始批量生產(chǎn)。 ( HVM ) 2nm 芯片。可以生產(chǎn)第二個座位 N2 芯片廠將位于高雄科學(xué)園區(qū)，是高雄周邊南臺灣科學(xué)園區(qū)的一部分。該工廠的 HVM 預(yù)計啟動時間稍晚一些，可能是 2026 年左右。

另外，臺積電也在努力獲得政府的批準(zhǔn)，在臺中科學(xué)園區(qū)建造另一座有政府批準(zhǔn)的公園。 N2 能力工廠。假如公司在 2025 該設(shè)施于2008年開始建設(shè)，該工廠最早可以在 2027 每年投入使用。

當(dāng)然，獲得美國政府補(bǔ)貼的臺積電也將在那里生產(chǎn) 2nm。根據(jù)原計劃，除了之前宣布的晶圓廠，臺積電在美的第二個晶圓廠 3nm 除了技術(shù)之外，還將選擇世界上最先進(jìn)的納米片晶體管生產(chǎn)。 2nm 工藝技術(shù)，并將于 2028 年度生產(chǎn)開始。將采用第三個晶圓廠 2nm 或者更加先進(jìn)的工藝生產(chǎn)芯片， 2020 生產(chǎn)于年底開始。

三星，從容應(yīng)對

第一次大規(guī)模生產(chǎn) 3nm 晶圓廠，三星在 2nm 方面也是從容應(yīng)對。第一，是臺媒 Digitimes 的傳言。

根據(jù)報道，三星電子將其作為第二代。 3nm 工藝改名為" 2nm “工藝”，預(yù)計將于 2024 2008年下半年開始量產(chǎn)。

雖然早在 2023 年底有傳言說三星要把第二代放在第二代。 3nm 工藝改名為 2nm，但 ZDNet Korea 引用業(yè)內(nèi)人士的話報道稱，三星已經(jīng)開始通知客戶和合作伙伴，并將在 2024 年初將“第二代” 3nm “工藝”改名為“ 2nm 工藝"。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，他們已收到三星關(guān)于改名的通知，因此需要重新簽訂合同。

分析認(rèn)為，更名可能有助于三星營銷其代工服務(wù)。這已經(jīng)不是三星第一次更名其制造工藝了。2020年 年，在從 7nm 轉(zhuǎn)換到 5nm 過程中，三星將“第二代” 7nm “工藝”改名為“ 5nm 工藝"。

三星于 2022 年 6 月度全球率先量產(chǎn)采用全柵極柵。 ( GAA ) 工藝的 3nm 芯片。該公司計劃在這里 2024 第二代年開始大規(guī)模生產(chǎn) 3nm 工藝，并于 2025 年開始量產(chǎn) 2nm 工藝。改名之后，三星可能會整合第二代 3nm 和 2nm 工藝。根據(jù)推測，三星最早可能是 2024 2008年下半年開始量產(chǎn) 2nm 芯片。

美媒 Tomshardware 報告中提到，三星代工廠將在報告中提到。 6 月舉辦的 VLSI 在研討會上詳細(xì)介紹了其采用的全柵 ( GAA ) 晶體管的第三代工藝技術(shù)。這種技術(shù)叫做 SF2，將成為該公司的第一家公司 2nm 等級制造技術(shù)。該節(jié)點(diǎn)預(yù)計將顯著提高性能和效率。

根據(jù)公司自己的描述，即將到來的節(jié)點(diǎn)將通過獨(dú)特的外延和集成技術(shù)，進(jìn)一步完善三星多橋通道場效應(yīng)的晶體管結(jié)構(gòu)。這將使它能夠提高晶體管的性能 11-46%，基于未指定的 FinFET 與工藝技術(shù)相比，可變性降低 同時將泄漏減少26%左右。 50%。

三星在描述中寫道：“第三代通過引入獨(dú)特的外延和集成技術(shù)， MBCFET(SF2)能充分發(fā)揮產(chǎn)品特性，從而最大限度地提高圍繞優(yōu)勢的圍欄，解決商品收益和縮放問題 GAA 結(jié)構(gòu)性沖突問題。"三星說，SF2 狹窄的晶體管可以使用（N 型號)性能提升 29%，將 P 型號性能提升 46%，各自提高寬晶體管的性能。 11% 和 23%。此外，與 FinFET 與技術(shù)相比，它可以減少晶體管的整體變化。 將商品漏電減少26%左右。 50%。通過與客戶一起加強(qiáng)設(shè)計技術(shù)，這個過程也可以共同提升 ( DTCO ) 合作，為未來技術(shù)進(jìn)步奠定基礎(chǔ)。

韓媒 Business Korea 更有報道稱，三星不僅突破了技術(shù)界限，而且加強(qiáng)了技術(shù)界限。 2nm 等級制造技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。這家公司正在與之合作 50 多種知識產(chǎn)權(quán) ( IP ) 合作伙伴合作，擁有 4,000 多個 IP 。但是由于很明顯的原因，只有少數(shù)是針對的。 GAA 尤其是節(jié)點(diǎn) SF2。同時，今年早些時候，三星和 Arm 簽署協(xié)議，共同改進(jìn)協(xié)議 Cortex-X 和 Cortex-A 滿足三星全柵極晶體管制造技術(shù)的核心。

據(jù)報道，三星表示，SF2 設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施（PDK、EDA 工具授權(quán) IP）將在 2024 第二季度完成。三星的芯片開發(fā)合作伙伴一旦完成，就可以開始為這個生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計商品。

因此，三星有望在今年開始使用它的第二代。 3nm 等級制造工藝(稱為 制造芯片的SF3。第一代三星 3nm 級節(jié)點(diǎn) SF3E 由于該公司主要利用該技術(shù)生產(chǎn)數(shù)字貨幣挖掘芯片，所以并不特別成功。但是三星希望它。 SF3 該節(jié)點(diǎn)可以得到更廣泛的應(yīng)用，包括更復(fù)雜的設(shè)計，包括數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。

根據(jù)報道，三星將在那里 2025 每年開始大規(guī)模生產(chǎn)移動應(yīng)用程序 2 納米工藝，并存 2026 年推動 2 在超級計算機(jī)和計算機(jī)市場中應(yīng)用納米技術(shù)。（HPC）芯片，到 2027 年，2nm 技術(shù)將應(yīng)用于汽車芯片。

值得注意的是，SF2 也許是第一個引入背面供電的三星代工廠節(jié)點(diǎn)。據(jù)報道，三星代工廠已經(jīng)在兩個模型中 ARM 在芯片上進(jìn)行測試 BSPDN 技術(shù)方面，結(jié)果芯片尺寸各自縮小 10% 和 性能和效率提高了19% 9%。這份報告還表示，測試結(jié)果超出了公司的性能目標(biāo)。

關(guān)于三星的 2nm 晶圓廠，作者沒有發(fā)現(xiàn)太多信息。但是有報道稱，該公司計劃到達(dá)。 2047 一個“大型集群”半導(dǎo)體項(xiàng)目年度在韓國首爾附近的總投資 500 萬億韓元（3710 億美元)，該公司希望在這里生產(chǎn) 2nm 芯片。據(jù)報道，這個集群包括 13 家庭芯片廠和 3 一個研究設(shè)施，將跨越京邈道的幾個城市。

和臺積電一樣，獲得美國補(bǔ)貼的三星也將在大洋彼岸生產(chǎn) 2nm 芯片。據(jù)報道，三星將在德克薩斯州泰勒市建設(shè)一個新工廠，該工廠將在 2026 年開始生產(chǎn)尖端產(chǎn)品 2nm 芯片。

英特爾，充滿信心

英特爾多年來一直落后于先進(jìn)技術(shù)。 2nm 上邊則充滿信心。

Intel CEO Pat Gelsinger 去年年底接受采訪時說，自己的家人 18A 制程（1.8nm）比臺積電領(lǐng)先 在這一塊，N2 2 今年沒有對手。英特爾高級副總裁 Sanjay Natarajan 更是 透露，該公司將采用 20A 該工藝“推進(jìn)微型化”，今年將投入生產(chǎn)。

有關(guān)報道稱，該節(jié)點(diǎn)有望完全改變 IFS 產(chǎn)品組合和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。20A 預(yù)計節(jié)點(diǎn)將采用全新的節(jié)點(diǎn) RibbonFET 替代現(xiàn)有的晶體管 FinFET 結(jié)構(gòu)。同時，該節(jié)點(diǎn)還將提供新的互聯(lián)創(chuàng)新，即 PowerVia。

五月份的財務(wù)報告電話會議 Pat Gelsinger 重申，公司第一代全柵極柵 ( GAA ) RibbonFET 工藝，即 intel 預(yù)計今年將推出20A。后續(xù)產(chǎn)品是 intel 18A，他說，英特爾 18A 將在 2025 2008年上半年投入生產(chǎn)，商品也將在不久之后上市。

英特爾是英特爾五年四代工藝的最后一個節(jié)點(diǎn)， 18A 技術(shù)是公司的分水嶺，人們對它寄予希望。英特爾表示，這將使其在多年的性能上首次超越競爭對手，這意味著英特爾將回到半導(dǎo)體工程的巔峰。

具體到技術(shù)方面，根據(jù) IEEE 據(jù)報道，英特爾今年推出的報道 20A 工藝（先于 18A 技術(shù))給芯片制造業(yè)帶來了一個主要特點(diǎn)，那就是背面供電。英特爾也將成為第一家將背面供電引入商業(yè)芯片的芯片制造商。根據(jù)英特爾去年夏天發(fā)布的數(shù)據(jù)，只有一個背面供電提高了性能。 6%。

英特爾 18A 英特爾技術(shù)背面的供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù) 20A 芯片技術(shù)基本一致。但是，這種技術(shù)是存在的 Clearwater Forest 在中間得到了更多的應(yīng)用。即將推出的 CPU 基片中包含了所謂的“電壓調(diào)節(jié)器”（on-die voltage regulator）。接近電壓調(diào)節(jié)器驅(qū)動的邏輯表明邏輯可以更快地運(yùn)行。距離越小，調(diào)節(jié)器可以更快地響應(yīng)電流需求的變化，同時消耗更少的電能。

由于邏輯芯片采用背面供電，電壓調(diào)節(jié)器與邏輯芯片之間的連接電阻要低得多。與此同時，電源埋孔技術(shù)與 Foveros 疊加為英特爾提供了一種非常有效的連接方式。

這家芯片制造商除了背面電源外，還使用英特爾。 20A 過程轉(zhuǎn)向另一種晶體管結(jié)構(gòu)：RibbonFET。RibbonFET 它代替了納米片或全柵晶體管。 FinFET（自 2011 到目前為止，年已經(jīng)存在 CMOS 主晶體管)。借助英特爾 18A，Clearwater Forest 邏輯芯片將采用第二代邏輯芯片 RibbonFET 工藝制造。根據(jù)英特爾的說法，盡管這些設(shè)備本身與英特爾有關(guān) 20A 中間推出的設(shè)備沒有太大區(qū)別，但是設(shè)備的設(shè)計更加靈活。

這種靈活性意味著標(biāo)準(zhǔn)單元(設(shè)計師可以用來構(gòu)建系統(tǒng)的基本邏輯塊)可以包含不同屬性的晶體管。這使得英特爾可以開發(fā)一個“增強(qiáng)庫”，包括比英特爾 20A 標(biāo)準(zhǔn)單元工藝更小，性能更好或更有效。

據(jù)報道，英特爾的用戶已經(jīng)表示支持英特爾的系統(tǒng)代工服務(wù)，微軟董事長兼首席執(zhí)行官薩蒂亞 · 納德拉在 Intel Foundry Direct Connect 會上宣布，微軟計劃選擇英特爾。 18A 由英特爾設(shè)計的工藝制造芯片。

在英特爾的計劃中， 另外一點(diǎn)不同于另外兩個競爭對手，那就是他們率先使用它們。 ASML 最新的 High NA EUV 光刻機(jī)。英特爾代還表示，該公司已經(jīng)收到并組裝了行業(yè)內(nèi)第一個高數(shù)值孔徑 ( High NA ) 極紫外 ( EUV ) 光刻系統(tǒng)。新型工具能大大提高下一代Cpu的分辨率和功能擴(kuò)展能力，使英特爾代工廠能夠在英特爾 18A 今后繼續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先水平。

英特爾認(rèn)為，高數(shù)值孔徑 EUV 是 ASML 下一代光刻系統(tǒng)是在與英特爾合作幾十年后開發(fā)的。這是一個高數(shù)值孔徑 EUV 先鋒，英特爾代工廠將能夠?yàn)樾酒圃焯峁┣八从械木群涂蓴U(kuò)展性。這將使英特爾能夠開發(fā)具有最具創(chuàng)新性和能力的芯片。

根據(jù)透露，這個臺由 ASML 供給的 TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV 微型電影設(shè)備，將開始多個校正步驟，預(yù)計在 2027 年度啟用，率先使用 Intel 14A 制程。

早戰(zhàn)1nm，早戰(zhàn)

正如文章開頭所說，除上述三個晶圓廠外，日本 Rapidus 也逐漸成為 2nm 新的技術(shù)力量。他們今年年初表示，公司位于北海道千歲市 2 nm 芯片廠建設(shè)工程順利，試生產(chǎn)線將按計劃進(jìn)行。 2025 年 4 月亮啟用，并且有信心可以一步一步實(shí)現(xiàn)。 2027 年度量產(chǎn)目標(biāo)。

與此同時，他們透露，公司有興趣開發(fā) 1nm 工藝。這一未來工藝當(dāng)然也成為三大晶圓廠的新目標(biāo)。

據(jù) Business Korea 據(jù)報道，三星將于6月公布其最新技術(shù)路線圖，據(jù)報道， 1nm 量產(chǎn)計劃從 2027 年提前到 2026 年。據(jù)報道，三星的 SF1.4 過程將與臺積電相結(jié)合 1.4nm 工藝競爭，原本計劃于工藝競爭 2027 2008年開始大規(guī)模生產(chǎn)?，F(xiàn)在，這家公司似乎做了更新，提前計劃。

對臺積電而言，計劃在臺積電方面。 2027 年達(dá)到 A14 節(jié)點(diǎn)，并在 2030 年達(dá)到 A10 節(jié)點(diǎn)，即 1nm 工藝芯片。屆時，選擇臺積電 3D 芯片晶體管的封裝技術(shù)數(shù)量將超過 1 萬億個，而采用傳統(tǒng)芯片晶體管的封裝技術(shù)數(shù)量將超過 2000 億次。

根據(jù) Intel 最新路線圖，Intel 14A 提前至 2026 年，并于 2027 每年增加新的工藝，也就是 1 納米（Intel 10A）。然而，英特爾并沒有透露 10A 每個節(jié)點(diǎn)都有細(xì)節(jié)，但至少可以提高雙位數(shù)的功耗和性能。英特爾 CEOPat Gelsinger 曾經(jīng)說過，新工藝改進(jìn)臨界點(diǎn)約約 14%~15%， 10A 與 14A 也許還會有這樣的改善。

根據(jù)英特爾藍(lán)圖，Intel 14A 也于 2027 年度最佳化，故 10A 好像介于 14A 和 14A-E 之間。

可是，據(jù) Volksstimme 據(jù)報道，英特爾位于德國馬格德堡附近 Fab 29 module 1 和 module 2 由于歐盟補(bǔ)貼審核待定和黑土需要移除在其他地方重用，建設(shè)被推遲，新時間表將推遲到開工時間。 2025 年 5 月 。假如英特爾能迅速完成建筑工具等安裝，這個工廠仍然可能在 2027 年末至 2028 年初準(zhǔn)時投產(chǎn)。但是對于公司來說，這仍然是個問題。

起初，建設(shè)計劃于 2023 2008年上半年開始，但是由于補(bǔ)貼延遲，建設(shè)被推遲到 2024 夏天?，F(xiàn)在進(jìn)一步推遲了。

根據(jù)計劃，英特爾 Fab 29.1 和 Fab 29.2 計劃于 2027 年底開始運(yùn)營，這意味著他們將采用非常特殊的制造技術(shù)，例如 英特爾的 14A（1.4 納米）和 10A（1 納米)工藝節(jié)點(diǎn)。在英特爾路線圖中，這些制造技術(shù)旨在制作非常特殊的商品。

Fab 29.1 和 Fab 29.2 以生產(chǎn)計劃為目的 2028 年底推出的客戶端 PC 商品，因此，盡管英特爾有時間提高產(chǎn)能，即使工廠在 2028 年中準(zhǔn)備就緒，但是時間安排會很緊張。然而，這份報告描繪了一個更可怕的場景，因?yàn)樗F(xiàn)在被稱為“建造這兩家工廠需要四到五年”，所以它將在 2029 年到 2030 每年開始生產(chǎn)"

這可能會給英特爾的崛起帶來新的障礙。然而，考慮到他們在美國大本營、愛爾蘭和以色列的布局，情況可能沒有預(yù)期的那么糟糕。

參考鏈接

https://www.anandtech.com/show/21370/tsmc-2nm-update-n2-in-2025-n2p-loses-bspdn-nanoflex-optimizations

https://www.digitimes.com/news20240306PD21/2nm2-samsung-wafer-fab.html

https://www.tomshardware.com/tech-industry/the-race-to-2nm-process-technology-heats-up-samsung-will-discuss-its-next-gen-2nm-node-in-june

https://wccftech.com/intel-foundry-mass-produce-20a-2nm-chips-2024-ramping-up-competition/

https://www.extremetech.com/computing/intel-18a-cpus-on-target-for-2025-launch-ceo-confirms

https://spectrum.ieee.org/intel-18a

https://www.tomshardware.com/tech-industry/intels-14nm-and-1nm-fabs-in-germany-delayed-by-too-much-black-soil-and-eu-subsidy-approval

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