電子愛(ài)好者網(wǎng)報(bào)道(文章 / 黃晶晶）2024 年 3 月 JEDEC 固體技術(shù)協(xié)會(huì)宣布發(fā)布 JESD239 圖形雙倍數(shù)據(jù)速度 (GDDR7) SGRAM，即 GDDR7 顯存標(biāo)準(zhǔn)。JESD239 GDDR7 的帶寬是 GDDR6 兩倍，每臺(tái)設(shè)備高達(dá)兩倍 192 GB/s，有望滿(mǎn)足圖形、游戲、計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)和網(wǎng)絡(luò)。 AI 應(yīng)用程序需要越來(lái)越多的內(nèi)存帶寬。到目前為止，三大 DRAM 制造商三星電子，SK 海力士、美光科技都發(fā)布了 GDDR7 內(nèi)存商品。

三星電子

首次選擇三星 3 級(jí)脈沖振幅調(diào)制(PAM3)信號(hào)技術(shù) GDDR7 實(shí)現(xiàn) 30% 速度提高和 20% 能源效率的提高。因?yàn)椴捎昧巳碌姆庋b材料和優(yōu)化的電路原理，減少了 70% 熱阻，其可靠性得到提高。

三星第七代圖形利用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲(chǔ)器在標(biāo)準(zhǔn)化顯存產(chǎn)品中的性能提升歸功于應(yīng)用。 3 等級(jí)脈沖振幅調(diào)制信號(hào)。 在同一信號(hào)周期內(nèi)，級(jí)脈沖振幅調(diào)制信號(hào)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量一般不歸零編碼。（NRZ）信號(hào)的 1.5 與上一代商品相比，第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲(chǔ)器的性能得到了提高。 30%。

第七代圖形利用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲(chǔ)器提高功耗，提高能效 20%。這種類(lèi)型的提升可以降低待機(jī)功耗。 50%，從而減少整體用電量。降低功耗意味著降低成本，從而有助于降低客戶(hù)的整體擁有成本。（TCO）。

通過(guò)使用新的封裝材料和優(yōu)化電路原理，第七代圖形使用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲(chǔ)器減少 70% 熱阻。通過(guò)這種方式可以避免過(guò)熱，從而防止商品降級(jí)、性能損失和其它隱性硬件問(wèn)題。

不久前，三星在那里 GTC 上展專(zhuān)為下一代游戲而設(shè)計(jì)。 GPU 設(shè)計(jì)的 GDDR7 內(nèi)存，密度為 每模塊容量為16GB 2GB。它的速度是 32 Gbps(PAM3)，內(nèi)存工作電壓僅為 1.1V。

三星 GDDR7 將采用顯存芯片 266 FBGA 目前該公司在官網(wǎng)上列舉的封裝。 GDDR7 這兩種規(guī)格，分別是 32 Gbps 和 28 Gbps GDDR7。ZC-SC28K4VAF325 容量 選擇16Gb(2GB) 266 FBGA 包裝，刷新速度為 16K / 32 ms，頻率 等效速度為3500MHz 28Gbps。ZC-SC325K4VAF325 容量 選擇16Gb(2GB) 266 FBGA 包裝，刷新速度為 16K / 32 ms，頻率 等效速度4000MHz 目前正處于樣品階段的32Gbps。

報(bào)道稱(chēng) NVIDIA 旗艦款 RTX 5090 有望率先使用 28Gbps 顯存率，并預(yù)留 32Gbps 為了滿(mǎn)足未來(lái)更高性能的需要，上述加速空間。

SK 海力士

SK 今年海力士 NVIDIA GTC 2024 和臺(tái)北電腦展都展示了 GDDR7 商品。SK 海力士推出 GDDR7 傳輸速率達(dá) 40Gbps、提供高達(dá) 160GB/s 顯存帶寬。顯存容量覆蓋 16-24Gb。

在 NVIDIA GTC 2024 上，SK 專(zhuān)為視頻和圖像處理設(shè)計(jì)的海力士展示新一代 GDDR7 DRAM。與其前身 GDDR6 與最新的相比 GDDR3 產(chǎn)品提供的最大帶寬是上一代產(chǎn)品的兩倍(可以達(dá)到 128GB/ 秒）；提高了功耗效率 40%；與此同時(shí)，由于內(nèi)存密度的提高，視覺(jué)效果也得到了進(jìn)一步的提高。該產(chǎn)品將用于顯卡和顯卡 GPU，GDDR7是一項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)，需要快速處理人工智能和高容量數(shù)據(jù)。 它是不可或缺的重要組成部分。

美光科技

美光科技于 6 月初宣布，他們的下一代 GDDR7 圖形內(nèi)存商品已進(jìn)入樣品階段，該產(chǎn)品具有行業(yè)最高密度。基于 Micron 的 1 β（1-beta）DRAM 技術(shù)與創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)模式，Micron GDDR7 提供了 32 Gb/s 高性能內(nèi)存，并在功耗優(yōu)化設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色。

與 GDDR6 GDDR7與之相比 系統(tǒng)帶寬得到改善 60%，達(dá)到 1.5 TB/s，并且有四個(gè)單獨(dú)的通道，以?xún)?yōu)化各種工作負(fù)荷。這使得 GDDR7 記憶能提供更快的響應(yīng)時(shí)間，更流暢的游戲體驗(yàn)，縮短處理時(shí)間。另外，GDDR7 在能效上比 GDDR6 提升了 50% 上述方法改善了熱管理，延長(zhǎng)了電池壽命，新的睡眠模式進(jìn)一步降低了待機(jī)功耗 70%。

在生成式 AI 在工作負(fù)荷方面(例如從文本到圖像的建立)，Micron GDDR7 高性能的內(nèi)存提供能增加高達(dá) 33% 吞咽量，降低高達(dá)數(shù)， 20% 響應(yīng)時(shí)間。此外，Micron 預(yù)估選用 GDDR7 在光跟蹤和光柵化方面，顯卡將提供超過(guò)目前的光跟蹤和光柵化 GDDR6 和 GDDR6X 趨勢(shì) 30% 上述每秒幀數(shù)（FPS）提高，覆蓋 1080p、1440p 和 4K 分辨率。Micron GDDR7 通過(guò)性能和幀緩沖區(qū)擴(kuò)展內(nèi)存，支持 AI 增強(qiáng)游戲玩法，實(shí)現(xiàn)游戲景觀(guān)、玩家和故事情節(jié)的適應(yīng)性。

GDDR7 選用 3 級(jí)脈沖振幅調(diào)制(PAM3)

JESD239 GDDR7 首次使用脈沖幅度調(diào)配。 ( PAM ) 高頻率控制接口 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) DRAM。其 PAM3 接口提高了高頻控制的信噪比。 ( SNR ) ，能效同時(shí)得到改善。3 級(jí)脈沖振幅調(diào)制(PAM3)是一種數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。不歸零（NRZ）采用兩種信號(hào)電平進(jìn)行數(shù)據(jù)編碼調(diào)配的信號(hào)方式， 3 采用三種信號(hào)電平調(diào)制等級(jí)脈沖振幅。

之前美光推出的 GDDR6X 上就引進(jìn)了 PAM4 信號(hào)，提供超越 GDDR6 20% 上述性能。但 PAM4 需重新設(shè)計(jì) GDDR6X 存儲(chǔ)設(shè)備寫(xiě)入數(shù)據(jù)捕捉電路 ( 接收器 ) ，對(duì)四種不同的信號(hào)進(jìn)行精確取樣和分析。GDDR6與此同時(shí)X 芯片生產(chǎn)成本比例 GDDR6 更高，并且需要穩(wěn)定的信號(hào)。

現(xiàn)在，GDDR6X、PCIe 6.0 等規(guī)范應(yīng)用 PAM4 代碼技術(shù)，其中 PAM4 信令使 PCIe 6.0 雖然數(shù)據(jù)速度翻了一倍 GDDR7 仍將應(yīng)用 PAM3 編碼。認(rèn)為是考慮到設(shè)計(jì)、可靠性和成本等綜合因素。

美光說(shuō)，PAM4 的成功為 Micron 在 GDDR7 繼續(xù)在產(chǎn)品組合中使用 PAM3 保持領(lǐng)導(dǎo)地位奠定了基礎(chǔ)，比如測(cè)量行業(yè)第一。 40 Gb/s PAM3 工程進(jìn)步的特點(diǎn)，是未來(lái) GDDR7 更高性能的產(chǎn)品鋪平了道路。

另外，相比之下，三星和美光科技 GDDR7 提供 32 Gb/s 的速度，而 SK 海力士 GDDR7 傳輸速率達(dá) 40 Gb/s，比前兩家略高。就內(nèi)存工作電壓而言，GDDR7 的電壓較 GDDR6 更低，美光 GDDR6 電壓為 1.35V，而 GDDR7 為 1.2V。與此同時(shí)，不同的存儲(chǔ)商 GDDR7 三星電子的電壓也不一樣， GDDR7 內(nèi)存工作電壓為 1.1V，從而降低功耗。

總結(jié)：

GDDR 在服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)等邊緣和終端應(yīng)用中，不僅用于圖像處理，GPU 組合 GDDR 用于 AI 推理，對(duì)于生成式 AI 而言 GDDR 性能的提高同樣重要。GDDR 從 GDDR3、GDDR5、GDDR5X、GDDR6、GDDR6X 發(fā)展到今天 GDDR7。將來(lái) GDDR7 預(yù)計(jì)內(nèi)存將進(jìn)一步升級(jí)到內(nèi)存 容量將達(dá)到48Gbps 64Gb。

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