近期，英特爾 18A（1.8nm）工藝的消息不斷。媒體報道稱，英特爾正考慮調(diào)整晶圓代工策略，停止向新客戶推銷 18A，集中資源發(fā)展下一代 14A 工藝，以“跳級”方式追趕臺積電更先進的工藝，相關策略最快 7 月在董事會討論。

英特爾 18A 良率近期有進展，從上一季度的 50%提升至 55%，高于三星 2nm 工藝（約 40%），但低于臺積電 2nm 工藝（約 65%）。這讓英特爾內(nèi)部擔心其對新客戶吸引力不足，所以考慮對新代工客戶跳過 18A 制造工藝，把更多資源投入下一代芯片制造工藝 14A，英特爾預計該工藝比臺積電更具優(yōu)勢。

然而，這種做法與晶圓代工廠思維不符。晶圓代工行業(yè)核心宗旨是“以用戶為中心”，用戶需要什么工藝，代工廠就提供什么。一家良性運轉的晶圓代工廠，工藝平臺不一定最先進，但要貼近用戶需求。它應擁有豐富工藝平臺，如先進邏輯工藝、特色工藝、定制化工藝等；能提供設計與技術協(xié)同服務，像工藝設計套件，PDK 需支持主流 EDA 工具等；有豐富 IP 庫；還能提供設計咨詢和技術支持，解決客戶設計階段的工藝相關問題。

對晶圓代工廠來說，良率是核心要素。業(yè)界量產(chǎn)線良率一般要達 70%，達不到這個水平，客戶很難放心選擇。跳級追趕先進工藝，雖工藝節(jié)點超前一步，但結果有很多不確定性，最直接表現(xiàn)就是良率不達標。

對英特爾而言，18A 同時引入 RibbonFET 晶體管架構（取代 FinFET）和 PowerVia 背面供電技術，都是顛覆性創(chuàng)新。目前 18A 良率從 10%升至 55%，仍落后于臺積電 N2 的 65%。未來 14A 量產(chǎn)時，問題復雜度可能更高。暫緩承接 18A 外部訂單，只服務英特爾內(nèi)部產(chǎn)品，把外部代工押注于下一代 14A 工藝，一方面可能錯失當前高端市場窗口（目前規(guī)劃 2027 年量產(chǎn)）；另一方面，會滯后英特爾生態(tài)建設，降低外部設計公司對其的適配意愿。

其實，三星以前也嘗試過類似跳級追趕的做法。多年來，三星在 7nm、5nm、3nm 工藝上幾乎都比臺積電提前半年到 1 年推出，即便良率不高、用戶不足也開啟新進程。但受限于技術（如晶體管密度）和良率問題，在與臺積電的競爭中，三星始終處于下風。蘋果、英偉達、AMD、高通、聯(lián)發(fā)科大多最終選擇在臺積電投片。

反觀臺積電，它并非一開始就占據(jù)全球最先進工藝寶座。2010 年代以前，在工藝制程上，臺積電落后于英特爾等 IDM 大廠。但臺積電沒選擇跳級追趕，而是逐個工藝結點推進，把工藝平臺做扎實。

對于設計用戶來說，只有少數(shù)會選擇最先進工藝平臺，AMD、博通等公司對 3nm、5nm、6nm 也有大量需求。全球代工市場對成熟工藝的需求同樣巨大。從這方面看，以“跳級”方式追趕臺積電更先進的工藝，不一定是最佳策略。英特爾若想深入代工行業(yè)，把工藝平臺做深做透才是最佳方案。

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