電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文 / 章鷹）7月16日，英偉達H20芯片恢復(fù)在中國銷售的消息，讓英偉達當日在美國股市高開，股價升至170.7美元，市值達4.16萬億美元，再創(chuàng)歷史新高。同時，這一消息也帶動其主要晶圓代工伙伴臺積電股市高開，股價沖到237.71美元。臺積電即將召開法說會，屆時全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向以及2nm先進制程進展備受關(guān)注。

圖：臺積電 電子發(fā)燒友拍攝

2nm先進制程有哪些先進技術(shù)？客戶情況如何？三大晶圓代工龍頭企業(yè)的最新進展和良率怎樣？本文將詳細分析。

2nm開啟新時代，臺積電獨占鰲頭

早在2024年IEDM大會上，臺積電首次披露N2 2nm工藝關(guān)鍵技術(shù)和性能指標：與3nm相比，晶體管密度增加15%，同等功耗下性能提升15%，同等性能下功耗降低24%-35%。

2nm與之前的5nm、3nm有很大不同，底層技術(shù)發(fā)生了重大變革。從2nm開始，臺積電、三星、英特爾都全面轉(zhuǎn)向GAAFET晶體管，這意味著FinFET完成使命，無法再推動制程微縮，止步于3nm。GAAFET將FinFET上的鰭片嵌入柵極，形成納米片，實現(xiàn)四面包圍，增強了柵極控制能力，有效應(yīng)對短溝道效應(yīng)和漏電流等微觀物理瓶頸。GAAFET與ASML的EUV光刻機配合，讓摩爾定律得以繼續(xù)推進。

臺積電官網(wǎng)消息顯示，其2nm采用第一代Nanosheet納米片技術(shù)的環(huán)繞閘極晶體管（GAAFET）架構(gòu)；與N3E相比，相同功耗下速度增加10 - 15%；相同速度下，功耗降低25 - 30%，新品邏輯密度相對增加15%以上。

臺積電CEO魏哲家表示，2nm需求優(yōu)于3nm。供應(yīng)鏈稱，由于2nm設(shè)計難度高，在尚未量產(chǎn)時，蘋果、AMD、英特爾等多家客戶就已接洽。

在全球2nm工藝中，臺積電是唯一良率和技術(shù)都獲業(yè)界認可的廠商。KeyBanc Capital Markets報告顯示，截至2025年中期，臺積電N2制程良率約達65%，遠超主要競爭對手，使其在全球晶圓代工領(lǐng)域保持領(lǐng)先。

今年3月31日，臺積電在高雄楠梓科學(xué)園區(qū)舉行“2nm擴產(chǎn)典禮”，見證其在先進制程技術(shù)上的重大突破，典禮由臺積電共同營運長暨執(zhí)行副總經(jīng)理秦永沛主持。行業(yè)消息稱，臺積電2nm制程將于2025年下半年量產(chǎn)，并首次采用2nm（Nanosheet）晶體管結(jié)構(gòu)。

為鞏固晶圓代工優(yōu)勢，臺積電正推進N2工藝良率提升，計劃在2026年將N2制程良率提高到75%。要實現(xiàn)這一目標，需克服多重挑戰(zhàn)，如多重圖案的極紫外線曝光中的拼接問題和疊對控制。

英特爾、三星2nm制程良率與制造進展

近年來，晶圓代工競爭激烈。2024年8月6日，英特爾宣布基于Intel 18A制程節(jié)點打造的首批產(chǎn)品——AI PC客戶端處理器Panther Lake和服務(wù)器處理器Clearwater Forest樣片已出廠、上電運行并啟動操作系統(tǒng)。這兩款產(chǎn)品進展順利，預(yù)計2025年開始量產(chǎn)。英特爾還宣布，采用Intel 18A的首家外部客戶預(yù)計2025年上半年完成流片。

2025年3月以來，英特爾新任首席執(zhí)行官陳立武深入了解18A節(jié)點進展。4月英特爾代工大會上，宣布Intel 18A制程節(jié)點進入風險試產(chǎn)階段，今年內(nèi)將正式量產(chǎn)。英特爾代工的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴為Intel 18A提供EDA支持、參考流程和知識產(chǎn)權(quán)許可，方便客戶基于該節(jié)點進行產(chǎn)品設(shè)計。

美國科技網(wǎng)站W(wǎng)ccftech報道，英特爾18A節(jié)點開發(fā)進展迅速，目前良率位居第二。截至報告發(fā)布時，Intel 18A制程良率為55%，高于三星2nm制程。

值得注意的是，這一良率較上一季的50%有顯著提升，表明英特爾在制程優(yōu)化和缺陷減少方面成效顯著。報告預(yù)計，通過持續(xù)優(yōu)化和減少缺陷，英特爾有望將Intel 18A制程良率提升至65% - 75%。若能實現(xiàn)，其良率將全面超越三星。

制造方面，英特爾亞利桑那州的Fab 52工廠已成功完成Intel 18A流片，首批晶圓試產(chǎn)成功，展示了其在先進制程制造上的進展。Intel 18A節(jié)點大規(guī)模量產(chǎn)將先在俄勒岡州晶圓廠實現(xiàn)，亞利桑那州制造預(yù)計今年晚些時候進入量產(chǎn)爬坡階段。

三星電子宣布，基于2nm工藝的旗艦處理器Exynos 2600將于2025年5月進入原型量產(chǎn)階段，計劃搭載于下一代旗艦手機Galaxy S26系列。三星還規(guī)劃了SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等多個2nm工藝節(jié)點，分別針對高性能計算、AI、汽車電子等領(lǐng)域，布局具有前瞻性。但目前三星2nm先進制程良率是短板。

與臺積電、英特爾相比，三星代號SF2的2nm制程技術(shù)良率提升不明顯，約為40%，遠低于英特爾和臺積電。

韓國媒體消息，三星下一代2nm節(jié)點制程預(yù)計2027年推出。為保持在先進制程領(lǐng)域競爭力，三星需在此之前大幅提升良率，這對其挑戰(zhàn)巨大。因為它不僅要解決當前技術(shù)瓶頸，還需加速EUV相關(guān)產(chǎn)能建設(shè)與良率優(yōu)化，才有可能趕上臺積電和英特爾。

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