據(jù)復(fù)旦大學(xué)消息，該校集成芯片與系統(tǒng)全國重點(diǎn)實驗室、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬 - 劉春森團(tuán)隊成功研發(fā)出全球首顆二維 - 硅基混合架構(gòu)閃存芯片，解決了存儲速率的技術(shù)難題。相關(guān)研究成果于 8 日發(fā)表在國際學(xué)術(shù)期刊《自然》上。

這是復(fù)旦大學(xué)繼“破曉（PoX）”皮秒閃存器件問世后，在二維電子器件工程化道路上的又一里程碑式突破。

該成果將二維超快閃存與成熟互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝深度融合，攻克了二維信息器件工程化的關(guān)鍵難題，率先實現(xiàn)全球首顆二維 - 硅基混合架構(gòu)閃存芯片的研發(fā)。產(chǎn)業(yè)界相關(guān)人士表示，這種芯片能夠突破閃存本身在速度、功耗、集成度上的平衡限制，未來可能在 3D 應(yīng)用層面帶來更大的市場機(jī)遇。

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原標(biāo)題：《全球首顆！中國成功研發(fā)》

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