存儲巨頭SK海力士周四宣布，已開始量產(chǎn)238層4D NAND閃存，并正在與生產(chǎn)智能手機的海外客戶公司進行產(chǎn)品驗證。238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。此產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。

大數(shù)據(jù)時代，算力等各種需求仍將不斷刺激存儲市場增長。據(jù)Yole預(yù)測，從2021到2027年，DRAM將以9%的年均增長率增長，2027年市場規(guī)模將達到1585億美元，NAND Flash將以6%的復(fù)合增長率增長，市場規(guī)模將達到960億美元。整個存儲業(yè)的復(fù)合年均增長率預(yù)計為8%。國信證券分析師胡劍等3月27日發(fā)布的研報指出，NAND主要應(yīng)用于存儲端和手機端。據(jù)IDC統(tǒng)計，應(yīng)用于存儲器的NAND占比57.1%，應(yīng)用于手機端的NAND占比30.6%。

胡劍指出，大模型訓(xùn)練產(chǎn)生海量數(shù)據(jù)存儲需求，3D NAND需求提升，隨著算力的不斷進步，所需存儲的數(shù)據(jù)量在以指數(shù)級的增長速度攀升。存儲單元在水平方向上變得不易持續(xù)，尺寸微縮不再能夠滿足存儲器的成本需求，垂直堆疊存儲單元的3D NAND逐漸成為市場主流。浙商證券分析師陳抗等4月3日發(fā)布的研報指出，3D NAND是低成本/大容量非易失存儲的主流技術(shù)方案，是先進存力的前進方向之一。

中泰證券分析師王芳等5月22日發(fā)布的研報指出，2D到3D大勢所趨。2019年，3D NAND的滲透率為72.6%，已遠超2D NAND，且未來仍將持續(xù)提高，預(yù)計2025年3D NAND將占閃存總市場的97.5%。

國元證券指出，NAND Flash的產(chǎn)業(yè)鏈分為NAND Flash原廠顆粒、主控芯片設(shè)計、封裝工廠與品牌銷售。各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中，封裝企業(yè)與半導(dǎo)體封測企業(yè)有較大的重合，如日月光、長電科技、華天科技、通富微電等，我國在半導(dǎo)體封測領(lǐng)域處于國際上的第一梯隊，因此在NAND Flash存儲的封裝領(lǐng)域表現(xiàn)也較為優(yōu)異。

從競爭格局來看，3D NAND市場被海外廠商占據(jù)，長江存儲努力突圍。截至2022年，全球3D NAND市場主要被三星、SK海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光等海外大廠所壟斷，占比高達97%。胡劍指出，國內(nèi)優(yōu)秀存儲廠商長江存儲厚積薄發(fā)，在全球NAND市場中已占據(jù)一席之地，創(chuàng)新研發(fā)的Xtacking技術(shù)進一步提高了芯片的集成度，在堆疊層數(shù)上率先進入了200層以上的第一梯隊。

據(jù)財聯(lián)社不完全統(tǒng)計，中微公司、國科微、東芯股份和德明利有3D NAND相關(guān)布局。

中微公司在互動平臺表示，在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，公司的等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于64層和128層的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器客戶的需求正在開發(fā)驗證新一代設(shè)備。

 

國科微在互動平臺表示，公司自研的固態(tài)硬盤控制器芯片，屬于微處理器和邏輯集成電路的范疇，主要用于后端控制2.5/3D NAND存儲顆粒，前端符合SATA等類型的接口規(guī)范要求。

 

東芯股份在互動平臺表示，與2D NAND相比，3D NAND可以通過將存儲單位進行多層堆疊的設(shè)計方式，在相同的產(chǎn)品體積下，堆疊內(nèi)存能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)倍于傳統(tǒng)內(nèi)存的存儲容量，公司在3D NAND方面具有相應(yīng)的技術(shù)儲備。

 

德明利在互動平臺表示，我國的長江存儲（YMTC）經(jīng)過多年的研發(fā)和設(shè)備投入，已逐步開始量產(chǎn)并向市場供應(yīng)NAND Flash芯片產(chǎn)品，從根本上打破了NAND Flash芯片長期由境外廠商壟斷的市場格局，公司于2020年11月成為長江存儲（YMTC）Xtacking 3D NAND金牌生態(tài)合作伙伴，并開始批量采購和產(chǎn)品驗證，有望盡快實現(xiàn)移動存儲產(chǎn)品從晶圓到閃存主控芯片的100%國產(chǎn)化大規(guī)模替代。

 

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