從臺(tái)積電來(lái)看，電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 InFO 封裝在蘋果 A10 芯片首次商業(yè)化，面板級(jí)封裝領(lǐng)域中國(guó)廠商的集體突破，材料創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)共同推進(jìn)了封裝材料領(lǐng)域的一場(chǎng)技術(shù)革命。

據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2025 年度全球風(fēng)扇出型封裝材料市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)突破 8.7 億美元，其中中國(guó)市場(chǎng)是以億美元為基礎(chǔ)的 21.48% 復(fù)合性增長(zhǎng)率領(lǐng)先世界，顯示出強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)韌性。

扇形封裝的核心材料體系包括三個(gè)關(guān)鍵層次：重構(gòu)載板材料、重走線層次（RDL）材料及封裝保護(hù)材料。傳統(tǒng)的載板重構(gòu) BT 在玻璃基板和有機(jī)復(fù)合材料方面，樹(shù)脂面臨著雙重挑戰(zhàn)。

低熱膨脹系數(shù)在日本住友化學(xué)研究開(kāi)發(fā) BT 樹(shù)脂（CTE<20ppm>

RDL 材料的技術(shù)突破直接決定了扇出封裝。 I/O 密度上限。選擇韓國(guó)三星電子 193nm 浸沒(méi)式光刻工藝開(kāi)發(fā)的銅柱沉孔材料，線距精度達(dá)到 2 μ m，支持每平方毫米超 1000 個(gè)節(jié)點(diǎn)。這是一個(gè)材料系統(tǒng) AMD Instinct MI300 系列 AI 在芯片中實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，使芯片間通信延遲縮短 0.5ns。

與此同時(shí)，德國(guó)巴斯夫推出的新型納米二氧化硅添加了環(huán)氧模塑料，以確保優(yōu)異的導(dǎo)熱性能(傳熱系數(shù)>2.5W/m · K）在保持吸水性的同時(shí)， 0.05% 下面。這是材料 5G 在毫米波射頻模組中的應(yīng)用，使封裝體在 -55 ℃ ~125 在極端溫度下，循環(huán)壽命提高到極端溫度 1000 次左右。

智能手機(jī)射頻前端芯片在消費(fèi)電子領(lǐng)域的集成度每提高一代，對(duì)風(fēng)扇封裝面積的需求就會(huì)增加。 30%。蘋果 A17 Pro 臺(tái)積電用于芯片 InFO_PoP 技術(shù)，將系統(tǒng)級(jí)封裝尺寸壓縮到系統(tǒng)級(jí)封裝 9.8mm × 9.8mm，這背后是 RDL 材料線寬從 4 μ m 向 2 μ m 跳躍進(jìn)步。市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2025 年度智能手機(jī)領(lǐng)域扇出封裝材料市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 3.2 億美元，占整個(gè)市場(chǎng)的一億美元 37%。

與此同時(shí)，特斯拉是安森美半導(dǎo)體。 Model 3 選擇碳化硅功率模塊進(jìn)行研究 FOPLP 三相逆變器集成封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)。該方案采用高導(dǎo)熱氮化鋁基板(傳熱系數(shù)>170W//m · K）耐高溫環(huán)氧灌封材料（Tg>180 ℃)，縮小功率模塊體積 熱阻降至40% 0.5 ℃ /W。據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，2025 年度汽車配扇出封裝材料市場(chǎng)規(guī)模將突破 2.5 1億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到 28%。

并隨著 3nm 流程節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)，傳統(tǒng)的封裝方案已經(jīng)不能滿足芯片間信號(hào)完整性的要求。這是英特爾公布的 Foveros Direct 3D 銅的堆疊技術(shù) - 石墨復(fù)合埋孔材料 TSV 將導(dǎo)通電阻降低到 2.5m Ω，提高導(dǎo)熱效率 200%。這類材料系統(tǒng)的應(yīng)用，使得封裝體承載 10000 個(gè)以上 I/O 與此同時(shí)，仍然可以保持0.1。dB 消耗信號(hào)。<0.1dB 的信號(hào)消耗。

材料性能的極限突破當(dāng)然仍然是一個(gè)核心問(wèn)題。目前 RDL 材料的線距精度和理論極限(1) μ m）仍有 30% 差距，需要開(kāi)發(fā)波長(zhǎng)較短的差距。 EUV 光刻膠。基材翹曲控制難題尚未完全解決，515毫米 × 510mm 在高溫工藝中，面板的變形量仍然超過(guò) 50 μ m，制約良率的提高。

產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)建設(shè)成為破局的關(guān)鍵。從材料配方設(shè)計(jì)到生產(chǎn)工藝優(yōu)化，封裝廠、設(shè)備供應(yīng)商和材料供應(yīng)商需要形成深度合作。三星電子和 ASML 專用曝光機(jī)的合作開(kāi)發(fā)， FOPLP 產(chǎn)線的 RDL 層曝效率提高 30%，這種垂直整合方法值得國(guó)內(nèi)參考。

新興應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展材料界限。量子計(jì)算芯片封裝需求催生了超導(dǎo)材料的應(yīng)用。英特爾實(shí)驗(yàn)室正在測(cè)試鈦合金的低溫鍵合材料。 4K 在溫度下實(shí)現(xiàn)電路電阻10 μΩ。植入式芯片在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，促進(jìn)了可降解封裝材料的創(chuàng)新，聚乳酸 - 羥基乙酸聚合物（PLGA）機(jī)械性能接近傳統(tǒng)環(huán)氧樹(shù)脂。<10 μΩ。生物醫(yī)療領(lǐng)域的植入式芯片，則推動(dòng)可降解封裝材料的創(chuàng)新，聚乳酸 - 羥基乙酸聚合物（PLGA）的力學(xué)性能已接近傳統(tǒng)環(huán)氧樹(shù)脂。

總結(jié)

扇出型封裝材料正從單一功能向智能協(xié)同演變，站在工業(yè)變革的臨界點(diǎn)。伴隨著 3D 隨著集成、異構(gòu)計(jì)算等技術(shù)的成熟，材料體系將突破物理極限，為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的發(fā)展水平。在這個(gè)過(guò)程中，中國(guó)公司的材料創(chuàng)新能力和產(chǎn)業(yè)鏈整合水平將成為決定全球競(jìng)爭(zhēng)格局的關(guān)鍵變量。

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