電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近期，海思半導(dǎo)體在其官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品，分別是ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，導(dǎo)通電阻分別為20mΩ和35mΩ。海思稱，這兩款SiC單管器件具備優(yōu)良的導(dǎo)通特性與快速的開(kāi)關(guān)特性，能助力客戶實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。同時(shí)，多種系統(tǒng)解決方案可支持客戶快速導(dǎo)入SiC方案，加快產(chǎn)品上市速度。

海思提供了面向大功率設(shè)備的三管并聯(lián)解決方案和面向高效電能轉(zhuǎn)換的11KW CLLC解決方案。從功率和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)看，這類方案常用于充電樁、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源DC - DC和OBC等場(chǎng)景。

據(jù)海思官網(wǎng)信息，兩款1200V SiC MOSFET單管均采用TO - 247 - 4封裝，最大結(jié)溫均為175℃。在25°C環(huán)境溫度下，ASO1K2H020M1T4的最大連續(xù)漏極電流額定值（ID max）為100A，ASO1K2H035M1T4為61A；在25℃和175℃下，ASO1K2H020M1T4的導(dǎo)通電阻分別為20mΩ和30mΩ，ASO1K2H035M1T4分別為35mΩ和57mΩ；RθJC max最大結(jié)到殼熱阻分別為0.37K/W和0.57K/W。

華為在2022年發(fā)布的《數(shù)字能源2030》報(bào)告中指出，電力電子技術(shù)為能源系統(tǒng)變革的安全性和可控性提供保障。在電力消費(fèi)方面，主要變化是分布式電源和儲(chǔ)能裝置的接入，大量新型負(fù)荷需要直流電源以及主動(dòng)支撐源荷互動(dòng)，如數(shù)據(jù)中心、通信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站等。高效率、高功率密度、高可靠性、低成本的轉(zhuǎn)換電源和開(kāi)關(guān)設(shè)備能滿足用戶日益多樣的個(gè)性化需求和高標(biāo)準(zhǔn)的電能質(zhì)量治理需求，新型功率半導(dǎo)體的應(yīng)用需求大幅提升。未來(lái)能源系統(tǒng)以可再生能源最大限度開(kāi)發(fā)利用、能源效率最高為目標(biāo)，對(duì)能源輸送和控制的安全、高效、智能等方面提出更高要求，這都需要電力電子化設(shè)備進(jìn)行運(yùn)行、補(bǔ)償和控制。

目前，這些設(shè)備大多使用硅基器件，但硅基器件的參數(shù)性能已接近材料物理極限，無(wú)法承擔(dān)未來(lái)大規(guī)模清潔能源生產(chǎn)傳輸和消納吸收的重任，節(jié)能效果也接近極限。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體功率芯片和器件，憑借高壓、高頻、高溫、高速的優(yōu)良特性，能大幅提升各類電力電子設(shè)備的能量密度，降低成本，增強(qiáng)可靠性和適用性，提高電能轉(zhuǎn)換效率，降低損耗。光伏、風(fēng)電等新能源發(fā)電、直流特高壓輸電等領(lǐng)域?qū)﹄娔芨咝мD(zhuǎn)換需求極大，新型功率半導(dǎo)體適應(yīng)了這一需求趨勢(shì)。未來(lái)十年是第三代功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新加速期，滲透率將全面提升。碳化硅當(dāng)前的瓶頸主要是襯底成本高（是硅的4 - 5倍），不過(guò)受新能源汽車(chē)、工業(yè)電源等應(yīng)用推動(dòng)，其價(jià)格已下降，性能和可靠性進(jìn)一步提高，產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā)的拐點(diǎn)臨近，市場(chǎng)潛力將被充分挖掘。

到2025年，碳化硅價(jià)格已大幅下滑，并在新能源汽車(chē)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

值得注意的是，華為旗下哈勃投資已投資眾多國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)，覆蓋上游襯底、外延片、設(shè)備、器件/模塊等企業(yè)，包括天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、天域半導(dǎo)體等。

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