電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)臺媒消息，有傳聞稱英偉達已著手開發(fā)自己的HBM基礎(chǔ)裸片。預(yù)計英偉達自研的HBM基礎(chǔ)裸片會采用3nm工藝制造，計劃于2027年下半年進行小批量試產(chǎn)，這一時間點大致對應(yīng)“Rubin”后的下一代AI GPU “Feynman”。

有分析認為，英偉達此舉或許是要將部分GPU功能集成到基礎(chǔ)裸片中，目的是提高HBM和GPU的整體性能。并且英偉達會把UCIe接口集成到HBM4中，以實現(xiàn)GPU和CPU的直接連接。

英偉達可能會在2027年上半年先采用SK海力士供應(yīng)的標準HBM4E，之后在2027年下半年至2028年期間過渡到自己定制的HBM4E設(shè)計。

英偉達未來的HBM內(nèi)存供應(yīng)鏈會采用內(nèi)存原廠DRAM Die + 英偉達Base Die的組合模式。英偉達自研Base Die有助于增強其對HBM內(nèi)存的議價能力，便于向Base Die導(dǎo)入一系列高級功能，還能為采用NVLink Fusion IP的第三方ASIC提供更多模塊化組合。

2025年1月初，三星DS部門存儲業(yè)務(wù)部宣布成功設(shè)計出第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）的邏輯芯片。邏輯芯片位于芯片堆棧底部，是控制HBM芯片的核心組件。三星電子計劃采用先進的4nm工藝進行技術(shù)升級，從邏輯芯片的設(shè)計階段就開始尋求優(yōu)化，通過其無晶圓廠系統(tǒng)LSI部門最大限度提高HBM4芯片的性能。

今年4月，SK海力士宣布與臺積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)以及加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術(shù)展開密切合作。雙方合作開發(fā)第六代HBM產(chǎn)品，即HBM4，其中臺積電負責生產(chǎn)基礎(chǔ)裸片（Base Die）。

日前，美光高管表示，定制HBM內(nèi)存將在HBM4后的HBM4E時代正式落地。從HBM4開始，HBM4內(nèi)存基礎(chǔ)芯片Base Die采用邏輯CMOS制程，現(xiàn)階段該芯片主要包含內(nèi)存接口IP；而在HBM4E世代，一些客戶希望將AI xPU的特定功能電路卸載到HBM的Base Die中，提升xPU的芯片面積利用率，所以需要定制HBM內(nèi)存。

韓國SK海力士高管近日表示，受益于人工智能需求的爆發(fā)，公司預(yù)測到2030年HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片市場將以每年30%的速度增長，定制化HBM市場規(guī)模有望達到數(shù)百億美元?？蛻魧Χㄖ苹男枨笕找嬖鲩L，部分客戶要求特定性能或功耗特性。目前，英偉達等大客戶已接受深度定制，小客戶仍采用標準化產(chǎn)品，這種差異化策略是SK海力士保持市場競爭力的重要因素。

亞馬遜、微軟、Alphabet等云計算公司已提出數(shù)十億美元的AI資本支出計劃，且未來可能進一步上調(diào)，這對HBM市場形成直接利好。Counterpoint分析指出，包括英偉達、亞馬遜、微軟、博通和美滿電子在內(nèi)，已有七到八家IT廠商在推動HBM定制，預(yù)計到2026年HBM4亮相時，定制HBM市場將大幅擴張。例如美滿電子與美光、三星和SK海力士合作，為下一代XPU定制HBM方案。

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