電子發(fā)燒友網綜合報道，據業(yè)內人士消息，上個月三星向英偉達提供了HBM4樣品，目前已通過初步質量測試，本月底將進入預生產階段。若能通過英偉達最終驗證，最早11月或12月便可大規(guī)模生產。這一進展讓三星在后續(xù)HBM訂單競爭中占據有利地位。

在HBM3E方面，三星給出了極具吸引力的報價。有傳聞稱，其向英偉達提供的報價比SK海力士低20%至30%，三星采用這種激進定價策略來增強市場競爭力。

近日有消息表明，SK海力士已向英偉達小批量供應HBM4，以支持英偉達下一代AI加速器Rubin GPU的出樣計劃。據悉，英偉達計劃2025年9月推出Rubin GPU樣品，SK海力士提前調整供應節(jié)奏以滿足需求。

除英偉達外，7月1日SK海力士表示，正在與英特爾就Gaudi AI加速器相關的HBM展開合作，其第6代高帶寬內存（HBM4）有可能安裝在英特爾Jaguar Shores AI顯卡加速器產品中。

美光已向多家主要客戶提供最新研發(fā)的12層堆疊36GB HBM4內存樣品。該內存采用成熟的1 β（1 - beta）DRAM制程，結合先進的12層封裝技術。與前代產品相比，HBM4每個內存堆疊傳輸速率超2.0 TB/s，性能提升超60%。美光HBM4內存的2048位元接口為AI加速器提供更廣泛帶寬，顯著提升AI推理速度。

美光在發(fā)布會上透露，HBM4內存生產進程與客戶下一代AI平臺準備進度緊密配合，確保無縫集成，并適時擴大產量滿足市場需求。

近日，美光首席商務官Sumit Sadana稱，與客戶就2026年HBM供貨量談判取得顯著進展。12層HBM3E良率提升速度遠超8層，12層產品出貨量已超8層。預計明年供應產品大部分為12層的HBM3E，也可能包含HBM4。

據韓媒報道，三星電子正加緊招聘經驗豐富的高帶寬存儲器 (HBM) 專家，目標是招募下一代半導體和芯片封裝技術領域的工程師，包括混合鍵合工藝，該工藝被視為提高人工智能和其他計算應用性能的關鍵。與此同時，三星電子縮減了表現不佳的晶圓代工部門招聘規(guī)模。

具體而言，三星在尋找能為先進HBM設計新架構的封裝開發(fā)專家，產品規(guī)劃人員負責與對定制HBM感興趣的客戶溝通。定制HBM是垂直堆疊DRAM產品的一種，底層芯片配備客戶指定功能。預計三星電子最早明年將定制HBM推向市場。

更多熱點文章閱讀

點擊關注 星標我們

將我們設為星標，不錯過每一次更新！

喜歡就獎勵一個"在看"吧！

本文僅代表作者觀點，版權歸原創(chuàng)者所有，如需轉載請在文中注明來源及作者名字。

免責聲明：本文系轉載編輯文章，僅作分享之用。如分享內容、圖片侵犯到您的版權或非授權發(fā)布，請及時與我們聯(lián)系進行審核處理或刪除，您可以發(fā)送材料至郵箱：service@tojoy.com