英飛凌踏入車規(guī)級GaN領域,適用于48V系統(tǒng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,近日,英飛凌推出首款符合AEC - Q101標準的100V CoolGaN ?汽車晶體管系列,并且已經開始提供符合該標準的預生產產品系列樣品,其中包括高壓CoolGaN汽車晶體管和雙向開關。
英飛凌氮化鎵業(yè)務線負責人Johannes Schoiswohl表示:“我們的100V氮化鎵汽車晶體管解決方案以及即將拓展到高壓范圍的產品組合,是開發(fā)汽車應用節(jié)能可靠功率晶體管的一個重要里程碑。”
英飛凌這款100V G1系列晶體管采用增強型設計,典型導通電阻低至3.3mΩ,封裝于3x5mm的PQFN緊湊結構中,能在 - 40°C至 + 150°C的環(huán)境下穩(wěn)定工作。其高頻特性可將開關損耗降低70%以上,在48V/12V混合架構的區(qū)域控制單元、主DC - DC轉換器中,能使磁性元件體積縮減30%以上。
在區(qū)域控制單元與主DC - DC轉換器場景的48V/12V混合架構中,GaN的高頻特性可減小電感、電容體積,提升轉換效率。
同時,這款100V GaN FET還能應用于ADAS、激光雷達、線控轉向等系統(tǒng)的高效供電,以及車載音頻放大器等。英飛凌指出,隨著汽車平臺從傳統(tǒng)的12V架構過渡到先進的48V系統(tǒng),尤其是在軟件定義汽車中,氮化鎵技術起著關鍵作用。它不僅提高了系統(tǒng)效率和性能,還實現(xiàn)了線控轉向和實時底盤控制等創(chuàng)新功能,有助于提升駕駛舒適性和精確操控性。
英飛凌同步推出預生產型高壓CoolGaN晶體管和雙向開關,為車載充電器(OBC)和牽引逆變器的高壓應用做好鋪墊。其650V G5系列已應用于消費電子和數(shù)據(jù)中心,未來有望拓展到汽車高壓領域。
目前,GaN在汽車領域的應用已成為趨勢,英諾賽科已推出多款車規(guī)級GaN產品。例如,40V的INN040FQ045A - Q采用3x4mm FCQFN封裝,導通電阻4.5mΩ,通過16項嚴苛可靠性測試,適配高頻DC - DC轉換器與電機驅動器;100V的INN100W135A - Q采用2.13x1.63mm超小封裝,開關速度較硅器件提升13倍,成為L2 + /L3級自動駕駛激光雷達的核心器件。
Tier1廠商在近幾年也陸續(xù)推出基于GaN的OBC模塊產品。匯川聯(lián)合動力推出的6.6kW GaN車載二合一電源,采用GaN功率器件,運用業(yè)內先進的PFC變頻調制技術、動態(tài)母線控制技術、雙有源變換器調制技術,實現(xiàn)了整機96%的滿載效率,功率密度達到4.8kW/L,整機重量降低20%;聯(lián)合電子首發(fā)的超級氮化鎵車載充電機,以“GaN + SiC”組合實現(xiàn)6.8kW/L功率密度,磁件體積縮減60%;浩思動力將GaN芯片集成于增程器發(fā)電系統(tǒng),使整體效率提升2%,電控體積縮減30%;陽光電動力推出的二合一OBC,采用GaN器件以及單級拓撲架構,實現(xiàn)6.1kW/L功率密度,96.2%全電壓充電效率,整機重量可減輕25%以上。
英飛凌收購GaN Systems后,整合了電壓型和電流型驅動技術,形成覆蓋40V至700V的完整產品線。同時,在車規(guī)級產品方面,英飛凌得益于GaN Sysyems此前的積累,終于正式進入車規(guī)級GaN FET產品領域。未來,通過硅、SiC、GaN的技術組合,英飛凌將能夠在汽車領域提供從高壓到低壓的全鏈路產品組合。
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