全球芯片業(yè)龍頭企業(yè)之一的三星電子正在芯片代工領(lǐng)域發(fā)力，近日更是發(fā)布明確的路線圖，希望未來幾年能奪得更多市場份額。

當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二（6月27日），三星電子在美國加州硅谷舉辦“2023三星晶圓代工論壇”。會(huì)上，三星電子宣布將提高芯片代工產(chǎn)能，并引進(jìn)更先進(jìn)的制程技術(shù)。此外，三星還發(fā)布了該公司2納米等先進(jìn)制程的具體路線圖。

2納米制程

三星電子去年6月實(shí)現(xiàn)基于全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)的3納米工藝半導(dǎo)體產(chǎn)品量產(chǎn)，之前也公布了將于2025年起量產(chǎn)基于GAA技術(shù)的2納米工藝半導(dǎo)體。

據(jù)悉，GAA技術(shù)是新一代半導(dǎo)體的核心制程技術(shù)，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度、電力效率和晶體管性能。

與目前最先進(jìn)的3納米技術(shù)比較，三星電子的2納米制程將提高性能12%、并節(jié)能25%。

周二當(dāng)天，三星電子在論壇上提出了關(guān)于2納米工藝半導(dǎo)體的具體時(shí)間表：自2025年起首先將該技術(shù)以用于移動(dòng)終端；到2026年將2納米工藝適用于高性能計(jì)算機(jī)集群（HPC）；并于2027年將其用途擴(kuò)至車用芯片。

展望未來，三星還確認(rèn)了在2027年開始批量生產(chǎn)首批1.4納米芯片的計(jì)劃。

三星電子代工事業(yè)部總經(jīng)理 Siyoung Choi博士表示，“三星代工一直以領(lǐng)先的技術(shù)創(chuàng)新曲線來滿足客戶的需求，今天，我們相信，我們基于GAA的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)將有助于支持客戶使用人工智能應(yīng)用程序的需求。確?？蛻舻某晒κ俏覀兇し?wù)的最核心價(jià)值?！?/span>

拓展代工路線

除了推進(jìn)先進(jìn)制造工藝外，三星電子公司還決定拓展專業(yè)芯片代工服務(wù)。

首先，三星將從2025年起提供人工智能技術(shù)所需的8英寸氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的代工服務(wù)，該半導(dǎo)體的特色是高性能低電耗，目標(biāo)應(yīng)用是消費(fèi)者、數(shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用。

同年，三星還將開始生產(chǎn)支持6G網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的5納米射頻芯片。該射頻芯片將采用三星的5納米工藝制造，其功率效率將比之前的14nm射頻芯片提高40%，面積則減少50%。

與此同時(shí)，公司還力爭提高生產(chǎn)能力，通過增加無塵室擴(kuò)產(chǎn)，服務(wù)更多的客戶。三星電子計(jì)劃到2027年，該公司的無塵室總空間將比2021年擴(kuò)大7.3倍。

為此，三星電子表示將在韓國平澤工廠和美國得克薩斯Taylor工廠新建生產(chǎn)線。

此外，公司還宣布將與相關(guān)企業(yè)構(gòu)建先進(jìn)封裝協(xié)商機(jī)制“MDI（Multi Die Integration）同盟”， 領(lǐng)導(dǎo)新一代封裝市場。

爭搶領(lǐng)跑位

2納米工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹?/span>

作為三星最大競爭對(duì)手的臺(tái)積電，該公司于去年研討會(huì)上就披露了其2納米芯片的早期細(xì)節(jié)。臺(tái)積電的2納米芯片將采用N2平臺(tái)，引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。

臺(tái)積電推出的采用納米片晶體管構(gòu)架的2納米制程技術(shù)，在相同功耗下較3納米工藝速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。

美國芯片巨頭英特爾也為先進(jìn)制程做好了準(zhǔn)備。該公司已經(jīng)完成了Intel 20A和Intel 18A的制程工藝的開發(fā)（分別對(duì)應(yīng)2納米和1.8納米）。Intel 20A工藝將引入兩種全新的技術(shù)，PowerVia背部供電技術(shù)和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管。RibbonFET就是基于GAA技術(shù)，只是英特爾將其命名為了RibbonFET。

英特爾還表示，將于2024年量產(chǎn)Intel 20A、以及更加先進(jìn)的Intel 18A。根據(jù)英特爾的說法，Intel 18A的性能會(huì)完全超過臺(tái)積電和三星的2nm工藝。

此外，日本的一家芯片合資企業(yè)Rapidus也不容小覷。該公司由索尼集團(tuán)、豐田汽車、軟銀、鎧俠、日本電裝等八家日企共同成立，還獲得了日本政府的大力支持。該公司的目標(biāo)是在2025年至2030年間開始高端芯片。

去年末，Rapidus宣布與IBM公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)2納米節(jié)點(diǎn)技術(shù)。今年2月，Rapidus公司將其尖端2納米芯片工廠的選址定在了千歲市，該公司計(jì)劃于2025年啟動(dòng)這條生產(chǎn)線，并于2027年量產(chǎn)。

4月，Rapidus社長還公布了一項(xiàng)更大膽的計(jì)劃，興建1納米制程的芯片廠房。

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