范德華，低維材料（vdW）部件已證明建立具有按需特性的結(jié)構(gòu)能力。根據(jù)預(yù)測，vdW封裝可以誘導(dǎo)幾個GPa的局部高壓，這將極大地改變被捕材料的結(jié)構(gòu)和性能。鑒于此，來自上海交通大學(xué)的史志文教授發(fā)現(xiàn)，由于vdW封裝而導(dǎo)致的碳納米管。（CNTs）結(jié)構(gòu)塌陷。以“相關(guān)研究成果”Collapse of carbon nanotubes due to local high-pressure from van der Waals encapsulation"問題發(fā)表于《Nature Communications》。

文章要點：

1) 這項研究證實，大多數(shù)CNTs都是通過簡單地用六方氮化硼片覆蓋CNTs來完成的。（≈77%)將從管狀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)槠矫娼Y(jié)構(gòu)，無論其原始直徑如何，所有倒塌的CNTs都顯示出來。≈0.7nm的勻稱高度大致相當(dāng)于雙層石墨烯的厚度。與此同時，拉曼光譜進(jìn)一步驗證了這一結(jié)構(gòu)的坍塌，拉曼光譜顯示了拉曼G峰的顯著擴(kuò)張和藍(lán)色移動；

2) 此外，該研究發(fā)現(xiàn)，通過對局部vdW壓力分子動力學(xué)的模擬，可以完全捕捉到由vdW封裝誘導(dǎo)的CNTs坍塌。隨著CNT結(jié)構(gòu)的坍塌，進(jìn)一步的現(xiàn)場光學(xué)表征揭示了金屬-半導(dǎo)體的變化。同時，該研究不僅為基礎(chǔ)研究提供了方便的局部高壓方法，還為納米電子應(yīng)用提供了坍塌的CNT半導(dǎo)體。

原文：https://doi.org/10.1038/s41467-024-47903-3

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原題：碳納米管“復(fù)材信息”！Nature Communications》

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