快科技 6 月 2 據(jù)媒體報(bào)道，日消息，Intel 與軟銀合作，共同開發(fā)一種可替代的方式 HBM 存儲器的堆疊式 DRAM 解決方案。

雙方建立了一個(gè)名字“” Saimemory “新公司，將以英特爾技術(shù)東京大學(xué)等日本學(xué)術(shù)界的專利為基礎(chǔ)，共同打造原型商品。

這種合作的目的是實(shí)現(xiàn) 2027 幾年前完成了原型設(shè)計(jì)，并對量產(chǎn)可行性進(jìn)行了評估，力爭 2030 幾年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

目前大多數(shù) AI 使用Cpu HBM 芯片，這種芯片特別適合存儲和處理大量數(shù)據(jù)，但由于其復(fù)雜的制造工藝、高成本、過熱和大功耗，其廣泛應(yīng)用受到限制。

雙方計(jì)劃通過堆疊來實(shí)現(xiàn) DRAM 并且優(yōu)化芯片連接方式，新方案有望實(shí)現(xiàn)至少兩倍的存儲容量，同時(shí)降低用電量。 40%，而且成本大幅下降。

軟銀將成為新公司的最大股東，出資 30 公司計(jì)劃初期研發(fā)資金約1億日元。 150 億日元，如果這項(xiàng)技術(shù)成功，軟銀希望優(yōu)先獲得供應(yīng)權(quán)。

因?yàn)?AI 芯片需求旺盛，HBM 供應(yīng)持續(xù)緊張，Saimemory 除此之外，日本還希望通過這種替代產(chǎn)品占據(jù)至少日本數(shù)據(jù)中心的市場份額， 20 多年來第一次嘗試回到內(nèi)存芯片的主要供應(yīng)國。

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