快科技 6 月 2 據媒體報道，日消息，Intel 與軟銀合作，共同開發(fā)一種可替代的方式 HBM 存儲器的堆疊式 DRAM 解決方案。

雙方建立了一個名字“” Saimemory “新公司，將以英特爾技術東京大學等日本學術界的專利為基礎，共同打造原型商品。

這種合作的目的是實現 2027 幾年前完成了原型設計，并對量產可行性進行了評估，力爭 2030 幾年前實現商業(yè)化。

目前大多數 AI 使用Cpu HBM 芯片，這種芯片特別適合存儲和處理大量數據，但由于其復雜的制造工藝、高成本、過熱和大功耗，其廣泛應用受到限制。

雙方計劃通過堆疊來實現 DRAM 并且優(yōu)化芯片連接方式，新方案有望實現至少兩倍的存儲容量，同時降低用電量。 40%，而且成本大幅下降。

軟銀將成為新公司的最大股東，出資 30 公司計劃初期研發(fā)資金約1億日元。 150 億日元，如果這項技術成功，軟銀希望優(yōu)先獲得供應權。

因為 AI 芯片需求旺盛，HBM 供應持續(xù)緊張，Saimemory 除此之外，日本還希望通過這種替代產品占據至少日本數據中心的市場份額， 20 多年來第一次嘗試回到內存芯片的主要供應國。

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