快科技12月11日消息，40年前，日本曾是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍者。但近年來，日本的角色逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)樵O(shè)備與材料供應(yīng)商，在先進(jìn)芯片工藝領(lǐng)域已沉寂多年，此前其本土生產(chǎn)的芯片工藝還停留在28nm及以上水平。

不過，如今日本芯片工藝有望實(shí)現(xiàn)從28nm到4nm的跨越。這一變化源于臺(tái)積電在日本投資的熊本二廠，該廠原計(jì)劃升級(jí)至6/7nm工藝，近期卻已停工。

此次停工并非臺(tái)積電暫停對(duì)日本的投資，而是為了升級(jí)工藝。由于當(dāng)前6/7nm工藝需求較低，新建此類工廠可能加劇產(chǎn)能過剩，因此有消息人士透露，臺(tái)積電計(jì)劃將二期工廠直接升級(jí)至4nm工藝，以滿足當(dāng)下AI芯片的龐大需求。

針對(duì)這一消息，臺(tái)積電今日回應(yīng)稱，公司不評(píng)論市場(chǎng)傳聞或臆測(cè)，在日本的項(xiàng)目仍在持續(xù)推進(jìn)中。

盡管臺(tái)積電表示在日本的投資會(huì)繼續(xù)，但實(shí)際上，不僅二期工廠暫停建設(shè)，此前已建成的一期工廠也暫停了擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。一期工廠主要生產(chǎn)40/28nm以及16/12nm工藝的芯片產(chǎn)品，原計(jì)劃2026年新增設(shè)備，不過現(xiàn)在臺(tái)積電已告知設(shè)備供應(yīng)商，明年全年都沒有增加設(shè)備的安排。

然而，二期工廠若要升級(jí)至4nm工藝并非易事。4nm工藝需要EUV光刻設(shè)備，這不僅會(huì)增加投資成本，相關(guān)廠商的設(shè)計(jì)等環(huán)節(jié)也需做出調(diào)整。

因此，二期工廠還有另一種可能性——改建成先進(jìn)封裝工廠。當(dāng)前AI芯片對(duì)CoWoS封裝的需求極高，而此前CoWoS芯片封裝主要集中在臺(tái)積電本土工廠，若在日本擴(kuò)產(chǎn)CoWoS封裝產(chǎn)能，也有助于緩解AI芯片產(chǎn)能不足的問題。

目前，最終方案尚未確定，但無論臺(tái)積電選擇哪種方案，都將推動(dòng)日本在先進(jìn)芯片工藝及封裝領(lǐng)域向前邁出重要一步。

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