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華為要進(jìn)軍光刻機(jī)?

2020-07-24

 


 

據(jù)媒體7月21日?qǐng)?bào)道稱,華為技術(shù)有限公司已經(jīng)悄悄的在招聘“光刻工程師”,這或許意味著華為可能打算自己研發(fā)芯片制造技術(shù)。

 

前不久有消息稱,華為內(nèi)部確實(shí)提出要堅(jiān)定選擇絕處逢生式的全產(chǎn)業(yè)鏈模式,進(jìn)軍更多業(yè)務(wù)板塊謀求生存空間。

消息稱,海思仍在擴(kuò)張,暫不考慮縮減規(guī)模,不考慮“散是滿天星”之類的市場(chǎng)傳聞把人員散落到其他公司的動(dòng)作,而是在積極尋找代工廠,打造設(shè)計(jì)制造一體的IDM(垂直整合制造工廠,芯片設(shè)計(jì)和芯片制造一體)。

業(yè)內(nèi)人士表示,目前全球最先進(jìn)的芯片制程工藝?yán)卫握莆赵谂_(tái)積電、三星等少數(shù)公司手里。而中國(guó)大陸在先進(jìn)芯片制程領(lǐng)域沒有多少話語權(quán)。

因此,在如此重要的領(lǐng)域,必須做到自主可控,所以當(dāng)下最重要的事情就是加速完成產(chǎn)業(yè)鏈整合及自主可控,爭(zhēng)取早日趕上國(guó)際先進(jìn)制程水平。

 


光刻機(jī)工作原理:光刻機(jī)通過一系列的光源能量、形狀控制手段,將光束透射過畫著線路圖的掩模,經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差,將線路圖成比例縮小后映射到硅片上,然后使用化學(xué)方法顯影,得到刻在硅片上的電路圖。

 

光刻機(jī)工作原理


中國(guó)的光刻機(jī)發(fā)展起源于20世紀(jì)70年代,伴隨著半導(dǎo)體行業(yè)研究的興起,中國(guó)于1977年研發(fā)成功第一臺(tái)光刻機(jī),1978-1985年先后研制成功三臺(tái)光刻機(jī),當(dāng)時(shí)中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖然沒有達(dá)到當(dāng)時(shí)世界先進(jìn)水平,但是差距并不大。

80年代底,由于中國(guó)信奉“造不如買”的發(fā)展理念,導(dǎo)致中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)停滯不前,直到2002年,國(guó)家開始重視光刻機(jī)的研發(fā)。

至今18年的時(shí)間里,中國(guó)在逐步縮小和國(guó)際光刻機(jī)巨頭的差距,路漫漫其修遠(yuǎn)兮,上海微電子等光刻機(jī)企業(yè)的崛起,表明中國(guó)正在追趕的路上堅(jiān)定不移、勇往無前。

目前全球光刻機(jī)被ASML、Canon和Nikon三家供應(yīng)商包攬。ASML光刻機(jī)主要包括三大款:EUV、浸入式DUV、干式DUV。公司在中高端領(lǐng)域領(lǐng)先,在最高端領(lǐng)域壟斷,是摘取光刻機(jī)皇冠上明珠的領(lǐng)先企業(yè)。其中最先進(jìn)的EUV機(jī)臺(tái)只有ASML提供,中低端設(shè)備ASML也占據(jù)大部分市場(chǎng)。

EUV光刻機(jī)是目前最先進(jìn)的光刻機(jī),采用EUV光源,使用的光波波長(zhǎng)只有13.5nm,NA(數(shù)值孔徑)為0.33,目前全球只有ASML能生產(chǎn)EUV光刻機(jī),售價(jià)高達(dá)1.2億美元。

ArF類光刻機(jī)市場(chǎng)ASML處于絕對(duì)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),Nikon只提供少量干法設(shè)備供給,KrF與i-line設(shè)備則是與Nikon和Canon相互競(jìng)爭(zhēng)。近幾年光刻機(jī)市場(chǎng)需求呈上升趨勢(shì),ASML光刻設(shè)備數(shù)量市占率一直保持在60%以上。

EUV光刻機(jī)不需要多重曝光,一次就能曝出想要的精細(xì)圖形,沒有超純水和晶圓接觸,在產(chǎn)品生產(chǎn)周期、光學(xué)鄰近效應(yīng)矯正的復(fù)雜程度、工藝控制、良率等方面都有明顯優(yōu)勢(shì)。

格芯首席技術(shù)官Gary Patton曾說:“如果在5nm的時(shí)候沒有使用EUV光刻機(jī),那么光刻的步驟將會(huì)超過100步”。

方正證券認(rèn)為,隨著中國(guó)大陸代工廠的不斷擴(kuò)建,未來對(duì)于國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)的需求不斷提升,而當(dāng)前國(guó)內(nèi)與國(guó)外頂尖光刻機(jī)制程仍存在較大差距,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)應(yīng)從如下幾個(gè)方面尋求突破:

1、產(chǎn)業(yè)分工:國(guó)內(nèi)涉及相關(guān)光刻機(jī)零部件的企業(yè)形成產(chǎn)業(yè)分工,各取所長(zhǎng)研發(fā)、提供相應(yīng)的技術(shù)和零部件;2、科研投入:目前國(guó)內(nèi)企業(yè)仍存有買辦思維,光刻機(jī)作為人類智慧的結(jié)晶,高科技產(chǎn)物,科研投入必不可少;3、技術(shù)突破:匯集頂尖人才對(duì)于核心技術(shù)優(yōu)先突破;4、人才積累:注重獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)制。

目前來看,華為是否下定決心要自己搞芯片工廠,或者研發(fā)光刻機(jī),是否愿意承受失敗的巨大風(fēng)險(xiǎn),才是關(guān)鍵?,F(xiàn)在搞光刻機(jī)很難,但如果不搞,以后會(huì)一直很難。

畢竟求人不如求己,之前任正非布局芯片就是防止芯片方面被卡脖子,如今在芯片代工生產(chǎn)環(huán)節(jié)成了美國(guó)拿捏弱點(diǎn),一不做二不休,干脆一整套全干得了,徹底擺脫芯片代工的限制。
 

 

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