下一代存儲(chǔ)器SK海力士”HBM”領(lǐng)域領(lǐng)先三星

高帶寬內(nèi)存（HBM）這是一種先進(jìn)的存儲(chǔ)器，將多個(gè)DRAM芯片堆疊在一起。

隨著AI的普及，需求急劇擴(kuò)大。SK海力士是世界領(lǐng)先的，三星電子正在追逐。對于支持精細(xì)堆疊技術(shù)的日本設(shè)備和材料企業(yè)來說，這也是一個(gè)巨大的商機(jī)...

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高帶寬內(nèi)存先進(jìn)存儲(chǔ)器（HBM）“R&D競爭正在升溫。三星電子正在追求SK海力士，他們在堆疊半導(dǎo)體芯片、提高數(shù)據(jù)處理能力方面處于領(lǐng)先地位。HBM的普及也是支持精細(xì)堆疊技術(shù)的日本設(shè)備和材料企業(yè)的巨大商機(jī)。

HBM是一種新型的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，將多個(gè)DRAM芯片堆疊在一起，提高數(shù)據(jù)處理能力。人工智能需要高速處理大量數(shù)據(jù)（AI）普及，需求急劇擴(kuò)大。

由于將半導(dǎo)體電路總寬度降至極限的“微細(xì)化”正在迎來物理極限，HBM正在將芯片堆疊起來，以三維結(jié)構(gòu)增加處理能力。就像NAND閃存領(lǐng)域的堆疊技術(shù)競爭一樣，用于保存數(shù)據(jù)，堆疊層數(shù)也在DRAM領(lǐng)域競爭。

在存儲(chǔ)器領(lǐng)域排名世界第二的SK海力士處于領(lǐng)先地位。SK海力士與AI領(lǐng)域領(lǐng)先的美國英偉達(dá)合作，共同開發(fā)并繼續(xù)提供HBM。

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2023年10年，SK海力士～12月份，由于高利潤率HBM的銷售額增加，存儲(chǔ)器行業(yè)率先扭虧增盈。SK海力士首席財(cái)務(wù)官（CFO）“HBM將保持年均60%的市場增長，”金佑賢自信地說。其它企業(yè)在R&D和大規(guī)模生產(chǎn)兩個(gè)方面都很難輕易趕上。

SK海力士準(zhǔn)備大規(guī)模生產(chǎn)先進(jìn)產(chǎn)品，將DRAM芯片堆放到8層。作為下一代產(chǎn)品，已經(jīng)開始提供堆放12層的樣品。三星和美光科技也在加緊12層產(chǎn)品的開發(fā)。

但技術(shù)難度很大，需要不同于現(xiàn)有DRAM量產(chǎn)的加工工藝。

SK海力士躍進(jìn)背后有日本供應(yīng)商的支持，包括立體結(jié)構(gòu)的布線技術(shù)、具有排熱特性的封裝材料、精密削薄硅晶圓技術(shù)等。日本生產(chǎn)設(shè)備制造商迪思科和愛德萬檢測（Advantest）、在股價(jià)暴漲的背后，TOWA等也有HBM普及這一強(qiáng)勢東風(fēng)。

日本企業(yè)在以納米為單位進(jìn)行材料微加工的技術(shù)領(lǐng)域發(fā)揮著巨大的作用。三星在橫濱市設(shè)立半導(dǎo)體研究基地，以加深與日本供應(yīng)商的關(guān)系，扭轉(zhuǎn)局面。

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隨著新一代產(chǎn)品的出現(xiàn)，DRAM的市場有所改善，但NAND的反彈力較弱。除了智能手機(jī)和個(gè)人電腦銷量低迷外，將照片和視頻存儲(chǔ)在云中成為主流，抑制了終端數(shù)據(jù)容量的增加趨勢，這也產(chǎn)生了負(fù)面影響。

針對三星2024財(cái)年(截至2024年12月)的營業(yè)利潤預(yù)測，韓國有進(jìn)投資證券表示，DRAM將賺取13萬億韓元，NAND的收益僅為900億韓元，不到100分之一。即使是同樣屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，由于AI普及的DRAM和NAND之間的收益差距也會(huì)持續(xù)一段時(shí)間。

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