據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子啟動(dòng)了與韓國商業(yè)銀行簽訂價(jià)值約72.7億美元信用額度協(xié)議的困境計(jì)劃。作為韓國重要的經(jīng)濟(jì)支柱，啟動(dòng)困境計(jì)劃的措施清晰地展現(xiàn)了三星“不舒服”的日常生活。

對(duì)三星電子而言，今天的存儲(chǔ)市場，老對(duì)頭、新對(duì)手與自己的距離越來越近。

老對(duì)頭：海力士的快速成長

隨著AI的快速發(fā)展，海力士在HBM技術(shù)的幫助下迎頭趕上。相對(duì)來說，三星更依賴于傳統(tǒng)的DRAM。有關(guān)報(bào)告指出，該公司的芯片銷售額約為80%至90%，來自傳統(tǒng)芯片。但是，由于中國制造商以更具價(jià)格優(yōu)勢(shì)的替代品迅速發(fā)展，對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片的需求正在減弱，價(jià)格也在持續(xù)下降。正因?yàn)槿绱?，擁有HBM領(lǐng)先技術(shù)的SK海力士才能獲得進(jìn)一步發(fā)展的優(yōu)勢(shì)。

2025年4月，Counterpoint 2025年第一季度Research內(nèi)存跟蹤報(bào)告指出，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市場份額成為全球DRAM收入的領(lǐng)導(dǎo)者；但是到2024年第一季度，SK海力士的市場份額仍然落后于三星10%以上。

這種超越對(duì)SK海力士來說是一個(gè)重要的里程碑；與此同時(shí)，這一數(shù)據(jù)也證明了HBM內(nèi)存在存儲(chǔ)市場上的“帶貨能力”。2024年，高盛預(yù)測，SK海力士將繼續(xù)受益于HBM市場供不應(yīng)求，其中海力士將在未來2～超過50%的市場份額將在三年內(nèi)保持。

由于HBM技術(shù)開始受到重視，三星一直在努力趕上SK海力士的進(jìn)步；但是現(xiàn)實(shí)并不順利。

在HBM3E(第五代HBM)市場上，三星不僅被SK海力士超越，而且被美光超越。三星正面臨尷尬的局面，因?yàn)槊拦獾腍BM3E已經(jīng)進(jìn)入了“大客戶”英偉達(dá)的供應(yīng)鏈，三星還沒有通過英偉達(dá)HBM3E的質(zhì)量測試。

眾所周知，HBM市場仍將快速發(fā)展，兩個(gè)“小兄弟”已經(jīng)進(jìn)入黃金所有者的供應(yīng)鏈。求三星此刻苦于產(chǎn)品質(zhì)量的心理創(chuàng)傷區(qū)。這樣就不難解釋三星電子在2025年4月將半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)部門的部分人力轉(zhuǎn)移到HBM業(yè)務(wù)。

根據(jù)韓國業(yè)內(nèi)人士的說法，三星電子已經(jīng)將“生與死押在HBM4”上。三星計(jì)劃采用自己的芯片代工技術(shù)，在下一代HBM4技術(shù)中生產(chǎn)負(fù)責(zé)核心計(jì)算和控制的“邏輯芯片”部分。這樣做有兩個(gè)主要好處:一是大大提高數(shù)據(jù)傳輸性能，可以顯著提高邏輯芯片與其他部分溝通渠道的速度；第二，根據(jù)不同客戶的設(shè)計(jì)專利，可以實(shí)現(xiàn)高度定制（IP）以及實(shí)際應(yīng)用需求，對(duì)HBM4產(chǎn)品進(jìn)行“量身定制”。

三星電子認(rèn)為，與競爭對(duì)手SK海力士和美光不同，三星擁有強(qiáng)大的芯片代工能力，這已經(jīng)成為其開發(fā)HBM4的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，三星正在向HBM業(yè)務(wù)部門分配經(jīng)驗(yàn)豐富的代工技術(shù)人員，以充分發(fā)揮這一優(yōu)勢(shì)。

雖然三星的劇本寫得很好，但是他們的競爭者似乎并沒有落后太多。

SK海力士已開始大規(guī)模生產(chǎn)下一代12層HBM。 3E芯片。SK海力士計(jì)劃在2025年下半年完成HBM4的研發(fā)，并準(zhǔn)備大規(guī)模生產(chǎn)，然后開始供應(yīng)。HBM4的供應(yīng)將從12層堆疊芯片開始，然后是16層堆疊芯片。預(yù)計(jì)2026年下半年將根據(jù)客戶需求交付16層堆疊芯片。

美光成立了云內(nèi)存業(yè)務(wù)部門，專注于定制HBM和超大型云服務(wù)提供商的存儲(chǔ)解決方案，直接負(fù)責(zé)HBM技術(shù)的研發(fā)和商業(yè)化。在HBM4技術(shù)突破方面，美光選擇了Fluxless無焊劑鍵合的技術(shù)路線；在設(shè)備供應(yīng)商中，美光向韓美半導(dǎo)體采購了50臺(tái)壓合式TC鍵合機(jī)，同時(shí)推動(dòng)了HBM4生產(chǎn)線設(shè)備的采購和測試，以最大限度地加快進(jìn)度。

新對(duì)手：快速成長的中國存儲(chǔ)制造商

除老對(duì)手外，三星還面臨著一批來自中國存儲(chǔ)市場的新玩家。

根據(jù)大摩的一份研究報(bào)告，HBM技術(shù)和頭部企業(yè)在中國存儲(chǔ)廠商之間的差距正在縮小。目前國內(nèi)存儲(chǔ)廠商和三星在R&D的差距只有3。～四年。對(duì)國內(nèi)HBM買家而言，這些差距可以通過AI芯片生產(chǎn)規(guī)模的能力來填補(bǔ)。

就DRAM產(chǎn)品而言，中國存儲(chǔ)商已經(jīng)向市場推出了16Gb 選擇最先進(jìn)的G4芯片DDR5芯片 在16nm節(jié)點(diǎn)上，DRAM跨代，其芯片尺寸比目前的18nm大。 G3 大約20%的DRAM。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，中國頭部存儲(chǔ)商計(jì)劃在2025年底將其DDR5/LPDDR5產(chǎn)能提高到每月110,000塊(占全球DRAM產(chǎn)能的6%)，其中每月510,000塊G3專門用于中國大陸客戶；每月剩余的16-16.50,000塊將用于LPDDR4x和HBM研發(fā)。

雖然先進(jìn)的工藝和相關(guān)的半導(dǎo)體設(shè)備有限，但是中國的存儲(chǔ)商在技術(shù)上并沒有完全處于劣勢(shì)。TrendForce表示，DRAM行業(yè)對(duì)HBM產(chǎn)品的關(guān)注正在轉(zhuǎn)變?yōu)閔ybrid。 先進(jìn)的包裝技術(shù)，如bonding。

Hybrid bonding可以實(shí)現(xiàn)更薄的堆疊、更多的層數(shù)、更低的信號(hào)消耗和更小間距下更高的良率，而無突點(diǎn)直接連接芯片。為了應(yīng)對(duì)TC鍵合面臨的良率挑戰(zhàn)，超過16層HBM產(chǎn)品。

hybrid 在bongding技術(shù)方面，中國在專利方面處于領(lǐng)先地位。根據(jù)TechInsights的說法，中國存儲(chǔ)企業(yè)的大規(guī)模生產(chǎn)是基于hybrid 大約四年來，bonding的NAND一直在使用晶圓(W2)。W）方法，各自制造存儲(chǔ)單元和外圍電路，并將這些晶圓鍵合到單個(gè)高密度多堆棧芯片中。

根據(jù)法國專利分析公司KnowMade提供的數(shù)據(jù)，中國頭部存儲(chǔ)公司在2017年至2024年1月披露了119項(xiàng)hybrid。 與bonding相關(guān)的專利。相比之下，盡管三星電子在2015年更早開始申請(qǐng)專利，但到2023年底只有83項(xiàng)專利。SK海力士于2020年開始申請(qǐng)，并披露了11項(xiàng)專利。

根據(jù)ZDNet的一份報(bào)告，目前大部分hybrid都是 Xperi(美國知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司)bonding專利、中國存儲(chǔ)公司和臺(tái)積電擁有它們。從這個(gè)角度來看，專利技術(shù)領(lǐng)先，地方hybrid Bonding供應(yīng)鏈的合作，是中國存儲(chǔ)企業(yè)的競爭優(yōu)勢(shì)。

與此同時(shí)，中國DRAM公司也在增加DRAM的出貨量，這可能會(huì)吸引OEM制造商和移動(dòng)品牌以更低的價(jià)格從這些公司購買DRAM。

根據(jù)芯片行業(yè)的說法，三星電子最近通知客戶，一些DDR4和LPDDR4商品將停工，最遲請(qǐng)于上半年完成訂單。

另外，中國內(nèi)存企業(yè)計(jì)劃以DDR4為核心，大幅提升DRAM產(chǎn)能。根據(jù)市場調(diào)查公司Omdia的說法，今年一家中國存儲(chǔ)公司的DRAM產(chǎn)量預(yù)計(jì)為273萬片(基于晶圓)，與2024年的162萬片相比，增長了68%。在此之前，市場預(yù)計(jì)該企業(yè)的DRAM產(chǎn)能將增長20%左右，實(shí)際上是預(yù)期的3倍以上。隨著這一趨勢(shì)的發(fā)展，中國存儲(chǔ)公司的DRAM產(chǎn)量有望追平世界第三大美光。

降低成本，三星急于尋找合作伙伴

有句話說：在高速范圍內(nèi)，時(shí)代獎(jiǎng)勵(lì)機(jī)會(huì)；在中速范圍內(nèi)，時(shí)代獎(jiǎng)勵(lì)競爭力。

在目前的存儲(chǔ)行業(yè)中，這句話迎來了三星對(duì)手AI的機(jī)會(huì)；對(duì)于三星來說，他們必須找到自己的競爭力。

在HBM方面，由于HBM3E的商業(yè)化進(jìn)程受到諸多阻礙，三星現(xiàn)在正在重新定位，三星已經(jīng)在其平澤4號(hào)線(P4)工廠啟動(dòng)了1c。 生產(chǎn)DRAM，初始產(chǎn)能約為每月30,000片晶圓。這一策略主要集中在初始產(chǎn)量上，然后隨著開發(fā)完善的提高而擴(kuò)大投資。在2025年下半年，三星計(jì)劃將P4的月產(chǎn)能提高至少40,000片晶圓。與此同時(shí)，三星正準(zhǔn)備將其華城17號(hào)線(目前生產(chǎn)傳統(tǒng)1z) DRAM）轉(zhuǎn)換成1c 制造DRAM，并且可以在年底前開始。

另外，三星電子與長期競爭對(duì)手臺(tái)積電合作，生產(chǎn)下一代HBM4芯片基礎(chǔ)芯片。這個(gè)舉動(dòng)表明，三星正努力走出自己的舒適區(qū)，以開放的姿態(tài)面對(duì)競爭市場。

三星仍然是NAND市場的第一名，但是由于Enterpriser SSD需求下降，季節(jié)下降約25%，達(dá)到42億美元。根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新研究，2025年第一季NAND。 面對(duì)庫存壓力和終端客戶需求下降，F(xiàn)lash供應(yīng)商的平均銷售價(jià)格每季度下降15%，出貨量下降7%，最后前五名NAND。 Flash品牌廠總收入為120.2億美元，季度下降近24%。

最近有消息稱，面對(duì)NAND市場的變化，三星向客戶透露了MLC NAND閃存即將停止工作，計(jì)劃在6月份接受MLC芯片的最終訂單。最后，MLC芯片通知 在NAND排產(chǎn)計(jì)劃的同時(shí)，還向部分客戶報(bào)告了MLC漲價(jià)計(jì)劃，促使客戶開始尋求新的替代供應(yīng)商。

從各種動(dòng)作來看，三星 面臨著美國高關(guān)稅和世界經(jīng)濟(jì)長期放緩的壓力，降低成本的努力已經(jīng)開始。開場所提到的72.7億信貸額度是三星的成本控制方式，可以讓三星靈活獲得更優(yōu)惠的利率資金，最大限度地減輕傳統(tǒng)籌資方式的財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)。據(jù)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，該協(xié)議涉及包括國民銀行、友利銀行和韓國工業(yè)銀行在內(nèi)的韓國頂級(jí)銀行（IBK），并且建立了以韓元計(jì)價(jià)的綜合信用額度。這類融資方式的功能與透支金額相似，允許三星根據(jù)需要提取一定金額的資金，利率在3%到4%之間。韓國金融專家指出，三星最近的措施反映了內(nèi)部的高度謹(jǐn)慎，而不是緊急情況。

順境是每個(gè)人的狂歡，逆境是優(yōu)秀人士的天堂。

三星存儲(chǔ)經(jīng)歷了無數(shù)次的逆境，面對(duì)新老玩家的沖擊，下一站會(huì)是天堂嗎？

本文來自微信微信官方賬號(hào) “半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫”（ID：ICViews），作者：6000，36氪經(jīng)授權(quán)發(fā)布。

本文僅代表作者觀點(diǎn)，版權(quán)歸原創(chuàng)者所有，如需轉(zhuǎn)載請(qǐng)?jiān)谖闹凶⒚鱽碓醇白髡呙帧?/p>

免責(zé)聲明：本文系轉(zhuǎn)載編輯文章，僅作分享之用。如分享內(nèi)容、圖片侵犯到您的版權(quán)或非授權(quán)發(fā)布，請(qǐng)及時(shí)與我們聯(lián)系進(jìn)行審核處理或刪除，您可以發(fā)送材料至郵箱：service@tojoy.com