電子愛好者網報道(文章 / 近日，多家服務器制造商表示，由于黃晶晶) AI 服務器需求上升，業(yè)績提升。隨著 AI 服務器需求旺盛，英偉達 GPU 升級換代，必然推動升級， HBM 供應商積極推進商品。三星方面 HBM3E/HBM4 有了新的進步，SK 海力士的 HBM4 性能更強。DDR4與此同時 隨著陸續(xù)減產，更多資源轉向 DDR5 和 HBM。

AI 推動服務器業(yè)績提升

發(fā)布戴爾科技 2026 財年第一財季(截至 2025 年 5 月 2 日期)財務報告數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)顯示，戴爾在第一財季收入達到 233.8 億美元，同比增長 5%，non-GAAP 下面，營業(yè)利潤為 17 億美元，同比增長 10%。得益于收入增長和運營費用下降，凈利潤同比增長 13% 至 11 億美金。

戴爾第一財季服務器和網絡收益達到 63 億美元，創(chuàng)歷史新高，且市場對立 AI 提高對服務器的需求是前所未有的。戴爾首席運營官杰夫 · 克拉克說：“僅在這個季度，我們就得到了。 121 億美元 AI 訂單，超過了 2025 財政年度全年出貨量，目前我們還有 144 一億美元的訂單積壓。

第二財季戴爾估計 AI 服務器將出貨合同 70 十億美元。相比之下，戴爾過去每個季節(jié)都有 AI 大約有服務器出貨 31 十億美元。今年 2 月亮，戴爾估計了全財年 AI 預計服務器收入預約 150 與去年相比，億美元 98 與億美元相比，大幅增長超過 50%。

富士康是英偉達 AI 由于服務器制造商， AI 第一季度服務器銷售強勁，收入同比增長 創(chuàng)同期歷史新高的24.2%。預計第二季度將實現(xiàn)明顯的同比增長，其中 AI 服務器業(yè)務將呈現(xiàn)兩位數(shù)的高增長，加速量產上坡。其 1-3 月純利潤達 421.2 13.9億新臺幣 億美元)，高于分析師的平均估計。 378 億新臺幣。

近日，英偉達表示，今年下半年將轉變?yōu)?Blackwell Ultra 芯片，Blackwell Ultra GPU 配置 12 層 HBM3e 顯存，實現(xiàn) 8TB/s 內存帶寬。2026 將于年底發(fā)貨 Vera Rubin。Vera CPU 的內存是 Grace 的 4.2 內存帶寬是倍數(shù) Grace 的 2.4 倍。Rubin GPU 由兩個 GPU 組成一個單芯片，將配備 288GB 的 HBM4。Vera Rubin 以后名叫 Vera Rubin Ultra 的芯片，將 Vera CPU 和 Rubin Ultra 芯片（Rubin Ultra 由四個 GPU 組成)組合，將存在 2027 年底上市。

三星、SK 海力士積極備戰(zhàn) HBM

據(jù)國外媒體報道，目前三星 12 層 HBM3E 商品已經基本通過了英偉達。 DRAM 單芯片認證，現(xiàn)階段正在進行成品認證程序。三星最初的估計 6~7 每月完成認證，但報道稱三星設定的最新目標是今年。 7~8 月亮通過了英偉達 12 層 HBM3E 質量驗證測試。三星電子在第一季度財務報告會議上表示，下半年將擴大強化型。 12 層堆疊 HBM3E 產品銷售。

韓國業(yè)內人士指出，如果三星 2025 年無法供應 12 層 HBM3E 給予英偉達，它 2026 年 HBM 戰(zhàn)略必然會大幅度調整，甚至可能放棄。 HBM3E 商品，然后專注于第六代。 HBM(HBM4)。

SK 世界上第一款海力士 16 層堆疊的 HBM3E 貨物，達到帶寬 1.2TB/s。有望應用于此 NVIDIA 最新的 GB300 " Blackwell Ultra " AI 集群商品。

HBM4 進步方面，以前 SK 最新一代海力士向公眾展示了它。 HBM4 高帶寬內存技術。據(jù)官方介紹，SK 海力士 HBM4 最大的單顆容量可以達到 帶寬高達48GB 2.0TB/s，I/O 速率達到 8.0Gbps。公司打算在 2025 年年底實現(xiàn) HBM4 大規(guī)模量產。

而且三星已經和很多客戶合作，開發(fā)是基于 HBM4 和加強型 HBM4E 今年下半年計劃量產定制版，預計將于今年下半年量產。 2026 商業(yè)供應于2000年開始。

當前，SK 選擇海力士和美光 1b DRAM 制造 HBM4 ，而且據(jù)韓媒報道，三星直指更先進的 1c DRAM。三星計劃擴大韓國華城和平澤 1c DRAM（第六代 10nm 等級)生產，相關投資將于年底前啟動。今年年底之前，三星還考慮將華城 17 號生產線從 1z DRAM 轉為 1c DRAM 為了進一步擴大產能，生產。

今年早些時候，三星已經在平澤第四公園(P4)開始了第一條 1c DRAM 生產線，目標月產能為 3 萬片晶圓。如果后續(xù)擴建順利，月產能有望提高到 4 萬片。

DDR4 減產，轉為 DDR5/HBM

三星，美光，SK 從去年開始，海力士開始減少。 DDR4 產能。三星從 2025 年 4 從月開始停止生產 1y 和 1z 納米工藝的 8GB DDR4 商品，最終訂單截止日期為 6 月。SK 海力士在 2024 年第 3 季 DDR4 生產比例已經從第一位開始 2 季 40% 降到 30%，第 4 進一步降低季度計劃 20%。而且美光還通知客戶舊版停工服務器。 DDR4 模塊。

隨著 DDR4 減少生產，產能就會轉移 DDR5、LPDDR5、HBM 等商品上。在最新的財務報告中，美光表示，該公司致力于在現(xiàn)有制造設備中加入 HBM 生產能力，以滿足 2026 年度市場需求。今年 4 月，美光重組了業(yè)務部門，新建立了向超大型云用戶提供內存解決方案，為數(shù)據(jù)客戶中心用戶提供內存解決方案。 HBM 云內存業(yè)務部。美光表示，此次重組的背景是推進高性能內存和存儲。 AI 發(fā)展越來越重要。

HBM 熱量也反映在設備成本上。據(jù) SEMI 最新報告顯示，2024年，隨著半導體前端后端工藝投資的擴大，設備市場增長將得到推動。 全球半導體制造設備年投資額達到 1171 與去年相比，億美元增長 10%。在半導體前端設備領域，晶圓加工和其他設備的成本同比增加 9% 和 5%，后端封裝設備和檢測設備的投資也分別增加 25% 和 20%。后端主要是因為高帶寬存儲器（HBM ）需求增加，導致對基礎工藝設施的投資增加。

集邦咨詢 TrendForce 預測，2026年受強烈需求推動。 年 HBM 總出貨量將突破 300 億吉比特，HBM4 將在 2026 年年底超越 HBM3e，成為市場主流解決方案。

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