快科技12月7日報(bào)道，此前日本擬斷供光刻膠的消息曾引發(fā)廣泛關(guān)注。盡管日方否認(rèn)了這一傳聞，但不可否認(rèn)的是，在光刻膠領(lǐng)域，日本企業(yè)確實(shí)對全球多數(shù)半導(dǎo)體公司形成了技術(shù)壟斷。

特別是在先進(jìn)的EUV光刻膠領(lǐng)域，當(dāng)前市場主要由日本JSR、信越化學(xué)、東京應(yīng)化TOK等企業(yè)主導(dǎo)。幾年前日韓貿(mào)易爭端期間，日本就曾暫停向韓國出口光刻膠等三種關(guān)鍵半導(dǎo)體材料。

近年來，韓國持續(xù)加大對半導(dǎo)體核心技術(shù)與材料的國產(chǎn)化投入。此前有消息稱韓國已解決EUV光刻膠問題，實(shí)則不然——所謂的“解決”只是日本企業(yè)為規(guī)避政策限制，將對韓供貨渠道從本土轉(zhuǎn)移至海外子公司，韓國三星、SK海力士等企業(yè)仍依賴日本的EUV光刻膠供應(yīng)。

與三星不同，SK海力士以存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)為主，此前對EUV光刻膠需求相對較低。但隨著工藝升級(jí)，內(nèi)存芯片也需大量采用EUV光刻工藝，為此SK海力士聯(lián)合韓國東進(jìn)世美肯公司共同開發(fā)EUV光刻膠。

雙方合作的目標(biāo)不僅是替代日本企業(yè)的EUV光刻膠，更要在性能上實(shí)現(xiàn)超越，尤其在光敏性方面，以提升生產(chǎn)效率。

光刻膠的光敏性越強(qiáng)，所需曝光時(shí)間越短，生產(chǎn)效率也就越高。即便使用相同的EUV光刻機(jī)，不同性能的EUV光刻膠也會(huì)影響最終的生產(chǎn)能力。

隨著內(nèi)存芯片工藝不斷向10nm及以下節(jié)點(diǎn)推進(jìn)，所需的EUV光刻層數(shù)持續(xù)增加，第七代1d工藝已需7層EUV光刻，未來這一數(shù)字還將繼續(xù)上升。

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