電子愛(ài)好者網(wǎng)報(bào)道(文章 / 梁浩斌）SiC 大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)，至今已經(jīng)經(jīng)歷過(guò)。 8 2008年，行業(yè)已被稱(chēng)為完美。但是由于它是一種半導(dǎo)體功率裝置， SiC 由于襯底材料本身存在的缺陷，可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備的一致性不同， SiC MOSFET 網(wǎng)格極氧化層的可靠性受工藝影響，單個(gè)芯片穿透可能導(dǎo)致功率模塊故障。

例如初期在 2019 — 2022 2008年，特斯拉大規(guī)模召回。 Model 3.召回原因描述如下:在召回范圍內(nèi)，汽車(chē)的后電機(jī)逆變器功率半導(dǎo)體元件可能會(huì)有細(xì)微的制造差異，部分車(chē)輛使用一段時(shí)間后，元件制造差異可能導(dǎo)致后逆變器故障，導(dǎo)致逆變器無(wú)法正?？刂齐娏鳌．?dāng)汽車(chē)處于停車(chē)狀態(tài)時(shí)，這種故障會(huì)導(dǎo)致汽車(chē)無(wú)法啟動(dòng)；當(dāng)這種故障發(fā)生在汽車(chē)行駛狀態(tài)時(shí)，會(huì)導(dǎo)致汽車(chē)失去行駛動(dòng)力，極端情況下可能會(huì)增加汽車(chē)碰撞的風(fēng)險(xiǎn)，存在安全隱患。

當(dāng)然，目前，隨著檢驗(yàn)技術(shù)的成熟，海外大廠車(chē)輛規(guī)定 SiC 設(shè)備故障的可能性已經(jīng)很低了。而且國(guó)內(nèi)的 SiC 今后大規(guī)模上車(chē)，也將面臨類(lèi)似的問(wèn)題，需要盡可能降低設(shè)備故障的風(fēng)險(xiǎn)。

最近的理想自研 SiC 第一個(gè)芯片團(tuán)隊(duì) 37 屆 ISPSD(功率半導(dǎo)體器件及集成電路國(guó)際會(huì)議) 問(wèn)題發(fā)表在會(huì)議上《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》（1200V 汽車(chē)級(jí)碳化硅 MOSFET 論文中的芯片擊穿場(chǎng)強(qiáng)離群芯片分析與選擇技術(shù)研究)，結(jié)合實(shí)驗(yàn)分析與數(shù)值模擬，系統(tǒng)研究 1.2 kV SiC MOSFET 中 BVDSS 異常芯片失效機(jī)制。

理想 SiC 由于電動(dòng)汽車(chē)對(duì)可靠性的嚴(yán)格要求，芯片團(tuán)隊(duì)表示，SiC MOSFET 已經(jīng)廣泛研究了柵氧化層的可靠性和魯棒性。但是，關(guān)于擊穿場(chǎng)強(qiáng)異常芯片的討論較少，排除了那些由外延或工藝起伏引起的病變芯片。我們正在研究和開(kāi)發(fā) SiC 在牽引逆變器的過(guò)程中，BVDSS 商業(yè)上使用的異常芯片 SiC MOSFET 經(jīng)常在產(chǎn)品中被發(fā)現(xiàn)。

在外延層中，他們發(fā)現(xiàn)設(shè)備故障與坑缺陷密切相關(guān)。當(dāng)坑位于 P 在區(qū)域內(nèi)，可觀察到植入?yún)^(qū)域的顯著變形。在變形 P 區(qū)內(nèi)角落，局部電場(chǎng)增強(qiáng)，最終導(dǎo)致早期雪崩擊穿。一種選擇技術(shù)已經(jīng)實(shí)施，超越了 96% 不合格芯片具有非致命材料缺陷，其中坑缺陷占比最高。篩選后，HTRB 燒入失效率從 1,700 一個(gè)功率模塊減少了近一個(gè)數(shù)量級(jí)。另外，還討論了這些坑的結(jié)構(gòu)，希望通過(guò)外延表面的平整度從根本上提高。 SiC MOSFET 的良率。

簡(jiǎn)而言之，就是理想汽車(chē)通過(guò)自主研發(fā)。 SiC 通過(guò)一種技術(shù)，可以有效地選擇過(guò)程中收集到的測(cè)試數(shù)據(jù)，從而降低實(shí)際應(yīng)用中芯片的失效率，提高芯片的失效率。 SiC MOSFET 可靠性。這也意味著國(guó)內(nèi)的研究 SiC MOSFET 大規(guī)模上車(chē)的過(guò)程正在積極推進(jìn)。

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